Scegliere la miglior combinazione di precursori dell'SBT
La deposizione metallo-organica per vaporizzazione chimica o MOCVD è il processo con cui sono costruiti i semiconduttori. Esistono molti moduli organo-metallici; il punto è trovare la giusta combinazione. Gli esperti dell'università di Catania hanno affrontato la questione per l'SrBi2Ta2O9, più comunemente chiamato SBT. Nel laboratorio italiano sono stati studiati sette diversi precursori organo-metallici, quattro stronzii (Sr), due bismuti (Bi) e un tantalio (Ta). Le condizioni in cui avviene la MOCVD influiscono pesantemente sui risultati, specie la temperatura e la quantità d'ossigeno presente. Si è visto che i precursori di stronzio fluorurati danno risultati migliori rispetti a quelli non fluorurati. È stata identificata una certa contaminazione, che è stata però facilmente rimossa durante la ricottura. Un'altra utile scoperta è stata che aumentare la temperatura alla quale avviene la MOCVD migliorava la quantità di torbida per uno dei precursori Bi. Il più robusto trio di precursori prodotti sono risultati Sr(tmhd)2pmdeta, Bi(tmhd)3 e Ta (OC2H5)5. Forti dei risultati degli esperimenti di laboratorio, i fabbricanti di semiconduttori possono scegliere la combinazione ideale di precursori SBT in base alle loro necessità. Questo risultati dovrebbe dare un contributo alle industrie legate alla NVM (Non-Volatile Memory), come le smart card e la tecnologia RFID. Gli scienziati dell'università di Catania stanno studiando come sfruttare la conoscenza acquisita durante il progetto.
