Sélection de la combinaison optimale de précurseurs de SBT
Le dépôt de vapeur chimique de composés organométalliques (MOCVD, Metal Organic Chemical Vapor Deposition) est un procédé qui permet de fabriquer des semi-conducteurs. Il existe différents sous-ensembles organométalliques; le tout est de trouver la combinaison appropriée. Des experts de l'Universita di Catania en Italie se sont attaqués à ce problème pour le SrBi2Ta2O9, plus connu sous le nom de SBT. Le laboratoire italien a étudié sept précurseurs organométalliques différents, à savoir quatre strontium (Sr), deux bismuth (Bi) et un tantale (Ta). Les conditions dans lesquelles le MOCVD se déroule, et plus particulièrement la température et la quantité d'oxygène présente, peuvent affecter considérablement les résultats. Il a été découvert que les précurseurs de strontium fluorés donnaient de meilleurs résultats que les précurseurs non fluorés. Une légère contamination a par ailleurs été identifiée, mais facilement éliminée lors du recuit. Les chercheurs ont également fait une autre découverte importante, à savoir que l'augmentation de la température lors du MOCVD améliorait le volume du transfert de masse pour un des précurseurs Bi. Il est apparu que le trio le plus robuste de précurseurs était le Sr(tmhd)2pmdeta, Bi(tmhd)3 et Ta (OC2H5)5. Grâce aux résultats des expériences en laboratoire, les fabricants de semi-conducteurs devraient pouvoir sélectionner la combinaison idéale de précurseurs de SBT en fonction de leurs besoins. Les résultats devraient également aider les industries qui dépendent de la mémoire non volatile (cartes à puce et technologie RFID, par exemple). Les scientifiques de l'Universita di Catania cherchent maintenant à exploiter les connaissances acquises dans le cadre du projet.
