Modélisation du recuit par lampe flash
L'utilisation du carbure de silicium (SiC) dans l'industrie des semi-conducteurs ne cesse de s'étendre. Dans une tentative pour renforcer la position de l'Europe sur ce marché en constante évolution, le programme GROWTH a financé un consortium de plus de dix organisations, dont plusieurs universités de premier plan. Le groupe a passé plus de trois ans à expérimenter la technique de recuit par lampe flash (FLA, Flash Lamp Annealing ), qui permet d'avoir un chauffage et un refroidissement rapides, de l'ordre de quelques millisecondes. Les travaux du groupe, qui ont culminé avec la définition du processus FLASiC, ont été rendus possibles grâce au développement et à l'utilisation d'un modèle informatique détaillé. Ce modèle résout les équations décrivant les processus thermiques intervenant lors du FLA, comme le flux de chaleur, la distribution de température résultante et le processus critique de la fusion. Le modèle thermique est complété par un modèle optique qui effectue des calculs énergétiques dans les couches du substrat. Le modèle s'est avéré très utile pour l'optimisation de la technique d'arrêt de la fusion, ce qui permet de réduire le risque de surfaces inégales qui diminuent la qualité finale de la plaquette et, dans le pire des cas, la rendent totalement inutilisable. L'introduction d'un modèle de carbone a permis d'introduire d'autres améliorations. Ainsi, le composant final du système de modélisation est un module qui calcule la contrainte subie par les plaquettes soumises au FLA. De manière générale, les résultats du modèle sont comparables aux observations faites par le consortium dans le laboratoire de semi-conducteurs. Les scientifiques de l'université de Cambridge estiment en outre que le système de modélisation peut être appliqué à d'autres disciplines.