Modelar el recocido por destellos
Cada vez se usa más el carburo de silicio (SiC) en la industria de los semiconductores. Para tratar de impulsar la posición de Europa en este mercado de rápido avance, el Programa GROWTH financió un consorcio de más de diez organizaciones, incluidas algunas universidades de primera categoría. El grupo dedicó más de tres años a experimentar con la técnica de recocido por destellos o FLA (del inglés Flash Lamp Annealing), que permite calentar y enfriar rápidamente en cuestión de milisegundos. Su labor, que culminó con la definición del proceso FLASiC, fue posible gracias al desarrollo y al uso de un importante modelo informático. El modelo resuelve las ecuaciones que describen los procesos térmicos durante el FLA, como el flujo térmico, la distribución de la temperatura resultante y el proceso fundamental de fundición. El modelo térmico se complementa con un modelo óptico que realiza los cálculos de energía en las capas del sustrato. Se comprobó que el modelo es muy útil para optimizar la técnica de bloqueo de fundición. Esto reduce el riesgo de las superficies irregulares que merman la calidad del producto final y, en el peor de los casos, hacen que la plancha quede inservible. La inclusión de un modelo de carbono contribuyó a otras mejoras. El último componente del sistema de modelado es un módulo que calcula la tensión soportada por las planchas cuando se someten a FLA. En general, los resultados del modelos coinciden con lo que el consorcio observó en el laboratorio de semiconductores. Los científicos de la Universidad de Cambridge desean destacar además que el sistema de modelado puede aplicarse en otras disciplinas.