Modellizzazione del Flash Lamp Annealing
Nell'industria dei semiconduttori il carburo di silicio (SiC) è sempre più usato. Per rafforzare la posizione europea in questo mercato in rapida evoluzione, il programma GROWTH ha finanziato un consorzio di oltre dieci diverse organizzazioni, tra cui varie università di primo piano. Il gruppo ha passato oltre tre anni sperimentando la tecnica FLA (Flash Lamp Annealing), che consente di riscaldare e raffreddare nello spazio di pochi millisecondi. Il lavoro, culminato nella definizione della procedura FLASiC, è stato reso possibile dallo sviluppo e uso di un perfezionato modello di simulazione. Il modello risolve le equazioni che descrivono i processi termici che si sviluppano durante la FLA (ad esempio il flusso di calore, la conseguente distribuzione di temperatura, e la fase critica della fusione). Il modello termico è completato da un modello ottico che mostra i calcoli di energia negli strati sottostanti. Il modello si è dimostrato estremamente utile nell'ottimizzare la tecnica melt stop. Viene così ridotto il rischio di superfici irregolari, che riducono la qualità finale del prodotto e, nei casi peggiori, rendono il wafer inutilizzabile. L'inserimento di un modello di carburo ha permesso ulteriori miglioramenti. Il componente finale del sistema di modellizzazione è un modulo che calcola lo stress subito dai wafer sottoposti a FLA. Globalmente i risultati del modello possono essere confrontati con successo con quelli che il consorzio ha osservato nel laboratorio semiconduttori. Gli scienziati dell'università di Cambridge ci tengono a sottolineare che il sistema di modellizzazione può essere applicato anche ad altre discipline.