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Hierarchical self-assembly of electroactive supramolecular systems on pRe-patterned surfaces: multifunctional architectures for organic FETs

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Les résultats intéressants d'un projet transdisciplinaire

La recherche de nouveaux matériaux conducteurs à l'échelle nano a connu une grande avancée grâce aux efforts exceptionnels des partenaires du projet Hesperus («l'étoile du soir») financé par l'UE.

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Pendant des siècles, les marins ont navigué dans des territoires inconnus en s'orientant à l'aide des étoiles. Des scientifiques du projet Hesperus («l'étoile du soir» ou planète Vénus) ont poursuivi leurs recherche, mais à une échelle beaucoup plus petite: la nano-échelle. Ils souhaitaient développer de nouvelles façon de fabriquer et même d'«élever» la prochaine génération de transistors qui pourraient transporter une charge à travers différents milieux, du métallique à l'organique. Cette branche des sciences est par nature transdisciplinaire, et implique des travaux de recherche associant le génie électrique, la chimie (supra)moléculaire, les nanosciences et sciences des matériaux et la physique. Ainsi, l'objectif de l'initiative Hesperus, financée par les «bourses intra-européennes pour le développement de la carrière» (action Marie Curie), était de générer des nouvelles connaissances scientifiques et technologiques dans ce domaine complexe et pluridisciplinaire. Plus spécifiquement, Hesperus s'est penché sur l'élaboration de nanostructures supramoléculaires (SEN - supramolecularly engineered nanostructures). Les chercheurs ont fabriqué sur mesure des semi-conducteurs organiques pour fabriquer de nouveaux types de transistors à effet de champ (FET), qui fonctionnent bien malgré de faibles signaux électriques. Les partenaires du projet ont étudié des matériaux innovants et des méthodes pour l'élaboration de FET en recommençant du début avec une connectivité électrique qui peut transporter plus de charge. D'après les partenaires du projet, la technique qu'ils ont développée «permet de relier les cristaux semi-conducteurs sans qu'aucune barrière d'injection ne se forme aux points de connexion.» Les résultats de ce projet, qui s'est terminé en milieu d'année (2010), pourraient s'ajouter à des efforts supplémentaires pour développer des transistors plus rapides, petits et à faible puissance au profit du secteur des micropuces et de l'électronique.

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