Avances en los procesos de crecimiento de materiales semiconductores
El proyecto INDOT («Tecnología MOCVD para la producción de dispositivos nanofotónicos basados en nitruro de indio») sirvió para desarrollar una tecnología de depósito químico en fase vapor de materiales organometálicos (MOVCD) destinada a la producción industrial de dispositivos basados en puntos cuánticos (QD) de nitruro de indio (InN). Se preveía que los conocimientos generados durante este proyecto, financiado por la Unión Europea, también fuesen aplicables a la producción de dispositivos basados en la aleación de nitruro de galio rico en InN e In (InGaN). El desarrollo de nuevos precursores adecuados para el crecimiento de puntos cuánticos de InN y láminas de InGaN enriquecidas en In de alta calidad se centró en garantizar un proceso fiable de fabricación y en la capacidad de ampliar los distintos procedimientos individuales a nivel de producción. Los socios del proyecto INDOT desarrollaron tres series de compuestos para lograr temperaturas de crecimiento inferiores, mejorar el control de la estequiometría y optimizar completamente los parámetros controlables de depósito. Los procesos experimentales se refinaron, lo cual permitió obtener materiales de ultra alta pureza de forma fiable y escalable. La nueva combinación de precursores adecuada para la fabricación de dispositivos basados en InN de la máxima calidad quedó, así, lista para su aplicación. Los esfuerzos de mejora de los equipamientos de MOCVD para el crecimiento de InN y compuestos basados en InN a baja temperatura se centraron especialmente en la optimización mediante procesos estables, reproductibles y eficientes. El principal logro de INDOT en este sentido fue poner del prototipo de MOCVD a disposición de la investigación y desarrollo (I+D) y de la industria. Este equipamiento se puede usar para producir dispositivos basados en InGaN enriquecidos con InN o In, pero no se limita a estos materiales. Mediante los nuevos precursores y los equipos optimizados, se han desarrollado procesos MOCVD con el fin de depositar puntos cuánticos de InN y láminas de InGaN a bajas temperaturas, siendo especialmente eficaces para el crecimiento de InGaN enriquecido en In a temperaturas moderadas. Otro de los logros de INDOT es la obtención de superficies extremadamente lisas, lo cual abre el camino hacia la mejora de la estructura de los granos de InN.
