Postęp w dziedzinie materiałów półprzewodnikowych
Projekt "Technologia MOCVD w produkcji urządzeń nanofotonicznych wykorzystujących azotek indu" (INDOT) miał na celu opracowanie technologii chemicznego osadzania powłok z fazy gazowej związków metaloorganicznych (MOCVD) służącej do przemysłowego wytwarzania urządzeń opartych na kropkach kwantowych (QD) azotku indu (InN). Finansowany ze środków UE projekt przewidywał także wykorzystanie zdobytej w jego ramach wiedzy do wytwarzania urządzeń opartych na stopach azotku indowo-galowego (InGaN) bogatego w InN i In. Tworząc nowe prekursory umożliwiające wytwarzanie wysokiej jakości warstw InN QD i bogatych w In warstw InGaN, koncentrowano się na zapewnieniu niezawodnego procesu produkcji i możliwości dostosowania określonych procedur do zwiększonego zapotrzebowania produkcyjnego. Partnerzy projektu INDOT opracowali trzy serie związków w celu uzyskania niższych temperatur otrzymywania półprzewodników, poprawienia kontroli stechiometrii oraz pełnego zoptymalizowania dostępnych parametrów osadzania. Naukowcy udoskonalili procesy doświadczalne, uzyskując wysoce czyste materiały w ramach niezawodnych i skalowalnych procedur. Tym samym przygotowano nowe połączenie prekursorów do zastosowania w produkcji wysokiej jakości urządzeń opartych na InN. Działania związane z ulepszeniem urządzeń MOCVD pod kątem uzyskiwania InN i opartych na InN związków w niskich temperaturach polegały głównie na ich optymalizacji w ramach stabilnych, reprodukowalnych i wydajnych procesów. Największym osiągnięciem projektu INDOT w tym zakresie było udostępnienie prototypowej aparatury MOCVD do zastosowań badawczych i przemysłowych. Urządzenia można wykorzystać do produkcji zaawansowanych urządzeń opartych na InN lub bogatym w In InGaN. Przy pomocy nowych prekursorów i zoptymalizowanej aparatury procesy MOCVD przystosowano do osadzania powłok InN QD i InGaN w niskich temperaturach, przy czym szczególnie udane okazało się użycie bogatego w In związku InGaN w temperaturach umiarkowanych. Innym osiągnięciem projektu INDOT jest uzyskanie bardzo płaskich powierzchni, co otwiera drogę do udoskonalenia uziarnienia InN.
