Processi di crescita dei materiali semiconduttori avanzati
Il progetto INDOT ("MOCVD technology for production of indium nitride based nanophotonic devices") è stato ideato per sviluppare una tecnologia di deposizione del vapore chimico di composti metallo-organici (MOCVD), la tecnologia per la produzione industriale di nitruro di indio (InN) basata su quantum dot (QD). Il progetto finanziato dall'UE ha prefigurato l'applicabilità del know-how prodotto anche alla produzione di dispositivi InN e In-rich di nitruro di indio e gallio (InGaN) a base di leghe. Lo sviluppo di nuovi precursori isonei per la crescita di strati InN QD e In-rich InGaN di alta qualità orientati a garantire un processo di fabbricazione e un potenziale affidabili per scalare le procedure specifiche per il livello di produzione. I partner del progetto INDOT hanno sviluppato tre serie di composti per l'accesso a temperature di crescita inferiori, migliorando il controllo della stechiometria e ottimizzando completamente i parametri di deposizione accessibili. I processi sperimentali sono stati raffinati, rivelando materiali ad altissima purezza di rendimento in modo affidabile e scalabile. La nuova combinazione dei precursori ideali per la fabbricazione di dispositivi basati su InN secondo i più alti standard, in questo modo, è risultata pronta per il lancio. Gli sforzi per migliorare le attrezzature MOCVD per la bassa temperatura di crescita di InN e di composti a base di InN sottolineano la realizzazione di un'ottimizzazione attraverso processi stabili, riproducibili ed efficienti. Il principale risultato di INDOT in questo settore è stato messo a disposizione di prototipi di attrezzature MOCVD per la ricerca e lo sviluppo (R&S), così come per l'industria. Tale risultato può essere impiegato nella produzione di dispositivi avanzati basati su InN o In-rich InGaN, ma non è limitati a tali materiali. Utilizzando i nuovi precursori e le attrezzature ottimizzate, i processi MOCVD sono stati sviluppati per la deposizione di pellicole InN QD e InGaN a basse temperature, con una crescita di In-rich InGaN a temperature moderate, dimostratasi particolarmente efficace. Tra gli altri successi ottenuti da INDOT si annoverano superfici estremamente piatte, che aprono la strada al miglioramento della struttura della grana InN.
