Expansión global con tecnología de microondas
Organismos militares, espaciales y de comunicaciones buscan cada vez con mayor interés una tecnología avanzada de nitruro de galio (GaN). La ventaja del GaN es su capacidad para proporcionar una densidad de potencia mayor a los transistores a frecuencia de microondas. Los transistores de potencia de GaN para aplicaciones espaciales soportan hasta 5 W/mm a través de sus circuitos. Para poder aprovechar esta ventaja, las tecnologías de empaquetamiento tienen que ser capaces a su vez de reducir las cargas de calor (es decir, reducir las resistencias térmicas). El proyecto «Advanced GaN packaging» (Agapac) desarrolló veinticinco empaquetamientos amplificadores de alta potencia. Estos empaquetamientos son herméticos, por lo que cumplen los requisitos de la ESA para empaquetamientos estancos. Además, se consiguió una eficiencia energética añadida del 65 % mediante el uso de un material de plata y diamante para la placa base. Para garantizar la integridad de estos avances, se realizó una evaluación térmica detallada de estos materiales. También se llevaron a cabo pruebas adicionales en los empaquetamientos a temperaturas de 55 a 125 grados Celsius y no se registraron fallos tras 500 ciclos. Además, se realizaron ensayos no destructivos como tomografía de rayos X tridimensional (3D) para detectar huecos potenciales en el módulo amplificador de alta potencia. Así, Agapac ha proporcionado tecnologías espaciales con un empaquetamiento viable y comercial que además de mejorar la tecnología europea de satélites permite a Europa mantener una posición fuerte en el extremadamente competitivo sector espacial.
