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Inhalt archiviert am 2022-07-06

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Integration von NIR-OLEDs in CMOS-Siliziumchips

Auf der Ausstellung der Smart Systems Integration 2012, in Zürich/Schweiz, präsentiert das Center for Organic Materials and Electronic Devices Dresden COMEDD am Fraunhofer IPMS erstmalig die Integration von NIR-OLEDs in CMOS-Siliziumchips.

21 März 2012 - 22 März 2012
Österreich
Die erfolgreiche Entwicklung von organischen Leuchtdioden (OLED), die im nahen infraroten Wellenlängenbereich (NIR) emittieren, ermöglicht völlig neue Anwendungen der bereits kommerziell erfolgreichen OLED-Technologie.
Dem Center for Organic Materials and Electronic Devices COMEDD am Fraunhofer IPMS ist es erstmalig gelungen, OLEDs, die im nahen Infrarotbereich (NIR) emittieren, in CMOS-Siliziumchips zu integrieren. So können sie als Lichtquelle in der Sensorik, in der medizinischen Lichttherapie oder als Display eingesetzt werden. Die Technologie ermöglicht beispielsweise die Entwicklung von NIR-OLED basierten Lichtschranken oder Flusssensoren.
Durch die Kombination von NIR-OLEDs mit konventionellen OLEDs lassen sich Leuchtsysteme mit einem entsprechend erweiterten Spektralbereich für Farbsensoren oder Spektrometer realisieren.

Als NIR-Display sind zum Beispiel Anwendungen in Nachtsichtgeräten - etwa unter der Nutzung von Restlichtverstärkern - möglich, bei denen die Anzeige von Informationen für Außenstehende unsichtbar bleiben soll. COMEDD verfügt zudem über die Möglichkeit, bidirektionale NIR-OLED Displays herzustellen, die nicht nur das NIR-Licht aussenden, sondern ebenfalls detektieren können. Eine Integration von OLED Displays in eine Datenbrille konnte bereits erfolgreich demonstriert werden.
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