Objectif NANOSPIN aims at the development of novel multifunctional spintronic nanoscale devices whose mode of operation is designed to take optimum advantage of the specific magneto electric properties of ferromagnetic semiconductors. The devices combine non-volatility, low current consumption, high switching speed and excellent scalability.The project addresses a number of interlinked novel device concepts for the magnetic writing of information, including current induced switching and current induced domain wall motion, combined with novel readout concepts based on tunnelling anisotropic magneto resistance and double barrier structures. In addition the performance of the devices will be investigated in the frequency range beyond 1GHz. Since the project is strongly device oriented, we will use the well established and well understood ferromagnetic semiconductor (Ga,Mn) as a vehicle material.This will enable us to focus on device action, rather than on materials issues. While this implies that the devices studied will necessarily operate at low temperatures only, the concepts developed by us should directly apply to any p-type ferromagnetic semiconductor. In this manner, the project complements ongoing materials research on room temperature ferromagnetic semiconductors.The work is carried out by leading European groups in the fields of spin transport in semiconductors, nanolithography, ferromagnetic semiconductor growth and characterization. Several industrial and semi-industrial partners will monitor the potential of the developed devices for industrial applicability and commercialisation for post CMOS applications. Champ scientifique natural sciencesphysical scienceselectromagnetism and electronicssemiconductivity Mots‑clés Nanotechnology Programme(s) FP6-IST - Information Society Technologies: thematic priority under the specific programme "Integrating and strengthening the European research area" (2002-2006). Thème(s) IST-2002-2.3.4.1 - FET - Open Appel à propositions Data not available Régime de financement STREP - Specific Targeted Research Project Coordinateur BAYERISCHE JULIUS-MAXIMILIANS UNIVERSITAET WUERZBURG Contribution de l’UE Aucune donnée Adresse SANDERRING 2 97070 WUERZBURG Allemagne Voir sur la carte Coût total Aucune donnée Participants (8) Trier par ordre alphabétique Trier par contribution de l’UE Tout développer Tout réduire CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE France Contribution de l’UE Aucune donnée Adresse 3, RUE MICHEL-ANGE 75794 PARIS CEDEX 16 Voir sur la carte Coût total Aucune donnée FYZIKALNI USTAV AV CR Tchéquie Contribution de l’UE Aucune donnée Adresse NA SLOVANCE 2 18221 PRAHA 8 Voir sur la carte Coût total Aucune donnée HITACHI EUROPE LIMITED Royaume-Uni Contribution de l’UE Aucune donnée Adresse LOWER COOKHAM ROAD SL6 8YA MAIDENHEAD Voir sur la carte Coût total Aucune donnée INSTYTUT FIZYKI PAN Pologne Contribution de l’UE Aucune donnée Adresse AL. LOTNIKOW 32/46 02-668 WARSZAWA Voir sur la carte Coût total Aucune donnée INTERUNIVERSITAIR MICRO-ELECTRONICA CENTRUM VZW Belgique Contribution de l’UE Aucune donnée Adresse KAPELDREEF 75 3001 LEUVEN Voir sur la carte Coût total Aucune donnée THALES France Contribution de l’UE Aucune donnée Adresse 45 RUE DE VILLIERS 92526 NEUILLY SUR SEINE Voir sur la carte Coût total Aucune donnée THE UNIVERSITY OF NOTTINGHAM Royaume-Uni Contribution de l’UE Aucune donnée Adresse University Park NG7 2RD NOTTINGHAM Voir sur la carte Coût total Aucune donnée UNIVERSITE PARIS-SUD France Contribution de l’UE Aucune donnée Adresse 15, RUE GEORGES CLEMENCEAU 91405 ORSAY CEDEX Voir sur la carte Coût total Aucune donnée
