Skip to main content
Ir a la página de inicio de la Comisión Europea (se abrirá en una nueva ventana)
español español
CORDIS - Resultados de investigaciones de la UE
CORDIS

GaN Transistor Integrated Circuits

Descripción del proyecto

Dispositivos electrónicos de alta eficiencia basados en nitruro de galio

El nitruro de galio (GaN) es un semiconductor de banda prohibida ancha utilizado en circuitos integrados y transistores de potencia de alta eficiencia. Los primeros dispositivos electrónicos de potencia de GaN han demostrado ofrecer un rendimiento sin precedentes y reducir el factor de forma. Los transistores de movilidad de electrones elevada basados en GaN permiten desarrollar diseños innovadores para aplicaciones espaciales. La reducción de los parásitos inductivos y la optimización de los componentes pasivos inductivos son esenciales para aprovechar el potencial de esta tecnología. El proyecto financiado con fondos europeos EleGaNT se propone comprobar un nivel de integración más alto entre circuitos integrados y GaN. El proyecto pondrá a prueba unos diseños mejorados de circuitos integrados de GaN y dispositivos pasivos, así como placas de convertidores en el punto de carga.

Objetivo

Discrete GaN power electronic devices have penetrated the consumer market and first products have amply demonstrated a disruptive improvement of the performance and reduction of the form factor.
With demonstrated robustness for heavy ion radiation and neutron radiation, p-GaN enhancement mode HEMTs allow disruptive innovative designs for space applications.
However, to unlock the full potential of the technology for point of load convertors, three important limitations need to be solved, as addressed in this project, i.e.
1) the reduction of the inductive parasitics through monolithic integration of drivers and power devices (GaN-IC)
2) optimization of the inductive passive components together with the active devices
3) a strong interaction between point of load convertor design and GaN-IC design.
Electrical performance and radiation robustness will be evaluated and assessed for space applications in the upcoming frame of satellites massive digitalization.
The project with duration of 36 months, comprises of two learning cycles in definition and refinement of the application requirements, design and manufacturing of the GaN-ICs and passive devices, and development of the point of load convertor boards, first with focus on the basic building blocks and initial prototypes, followed by further optimization towards the target requirements.
The consortium has been joined by Thales Alenia Space (France and Belgium) and Würth Elektronik as space and terrestrial point of load convertor manufacturers. IMEC contributes with its state-of-art GaN-IC platform technology and Würth Elektronik with the design and prototype manufacturing of the passives. MinDCet designs the optimized GaN-ICs and contributes with a state-of-art controller.
This project contributes to EU non-dependence of GaN technology as discrete GaN transistors are, so far, mostly produced by Asian and/or North American manufacturers and pushes the state-of-the-art with higher level of integration (GaN-IC).

Ámbito científico (EuroSciVoc)

CORDIS clasifica los proyectos con EuroSciVoc, una taxonomía plurilingüe de ámbitos científicos, mediante un proceso semiautomático basado en técnicas de procesamiento del lenguaje natural. Véas: El vocabulario científico europeo..

Para utilizar esta función, debe iniciar sesión o registrarse

Palabras clave

Palabras clave del proyecto indicadas por el coordinador del proyecto. No confundir con la taxonomía EuroSciVoc (Ámbito científico).

Programa(s)

Programas de financiación plurianuales que definen las prioridades de la UE en materia de investigación e innovación.

Tema(s)

Las convocatorias de propuestas se dividen en temas. Un tema define una materia o área específica para la que los solicitantes pueden presentar propuestas. La descripción de un tema comprende su alcance específico y la repercusión prevista del proyecto financiado.

Régimen de financiación

Régimen de financiación (o «Tipo de acción») dentro de un programa con características comunes. Especifica: el alcance de lo que se financia; el porcentaje de reembolso; los criterios específicos de evaluación para optar a la financiación; y el uso de formas simplificadas de costes como los importes a tanto alzado.

RIA - Research and Innovation action

Ver todos los proyectos financiados en el marco de este régimen de financiación

Convocatoria de propuestas

Procedimiento para invitar a los solicitantes a presentar propuestas de proyectos con el objetivo de obtener financiación de la UE.

(se abrirá en una nueva ventana) H2020-SPACE-2018-2020

Ver todos los proyectos financiados en el marco de esta convocatoria

Coordinador

INTERUNIVERSITAIR MICRO-ELECTRONICA CENTRUM
Aportación neta de la UEn

Aportación financiera neta de la UE. Es la suma de dinero que recibe el participante, deducida la aportación de la UE a su tercero vinculado. Considera la distribución de la aportación financiera de la UE entre los beneficiarios directos del proyecto y otros tipos de participantes, como los terceros participantes.

€ 824 694,25
Coste total

Los costes totales en que ha incurrido esta organización para participar en el proyecto, incluidos los costes directos e indirectos. Este importe es un subconjunto del presupuesto total del proyecto.

€ 824 694,25

Participantes (5)

Mi folleto 0 0