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CORDIS - Résultats de la recherche de l’UE
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GaN Transistor Integrated Circuits

Description du projet

Des dispositifs électroniques à haut rendement à base de nitrure de gallium

Le nitrure de gallium (GaN) est un semi-conducteur à large bande interdite utilisé pour les transistors de puissance et les circuits intégrés à haut rendement. Les premiers dispositifs électroniques de puissance à base de GaN ont affiché des performances révolutionnaires ainsi qu’une réduction du facteur de forme. Les transistors à haute mobilité électronique à base de GaN permettent des conceptions innovantes pour des applications spatiales. Il est primordial de réduire les parasites inductifs et d’optimiser les composants passifs inductifs pour exploiter le potentiel de cette technologie. Le projet EleGaNT, financé par l’UE, a pour objectif d’atteindre un niveau d’intégration plus élevé entre le GaN et les circuits intégrés, et d’en faire la démonstration. Le projet permettra d’améliorer la conception de circuits intégrés et de dispositifs passifs à base de GaN, ainsi que de cartes des convertisseurs de point de charge.

Objectif

Discrete GaN power electronic devices have penetrated the consumer market and first products have amply demonstrated a disruptive improvement of the performance and reduction of the form factor.
With demonstrated robustness for heavy ion radiation and neutron radiation, p-GaN enhancement mode HEMTs allow disruptive innovative designs for space applications.
However, to unlock the full potential of the technology for point of load convertors, three important limitations need to be solved, as addressed in this project, i.e.
1) the reduction of the inductive parasitics through monolithic integration of drivers and power devices (GaN-IC)
2) optimization of the inductive passive components together with the active devices
3) a strong interaction between point of load convertor design and GaN-IC design.
Electrical performance and radiation robustness will be evaluated and assessed for space applications in the upcoming frame of satellites massive digitalization.
The project with duration of 36 months, comprises of two learning cycles in definition and refinement of the application requirements, design and manufacturing of the GaN-ICs and passive devices, and development of the point of load convertor boards, first with focus on the basic building blocks and initial prototypes, followed by further optimization towards the target requirements.
The consortium has been joined by Thales Alenia Space (France and Belgium) and Würth Elektronik as space and terrestrial point of load convertor manufacturers. IMEC contributes with its state-of-art GaN-IC platform technology and Würth Elektronik with the design and prototype manufacturing of the passives. MinDCet designs the optimized GaN-ICs and contributes with a state-of-art controller.
This project contributes to EU non-dependence of GaN technology as discrete GaN transistors are, so far, mostly produced by Asian and/or North American manufacturers and pushes the state-of-the-art with higher level of integration (GaN-IC).

Champ scientifique (EuroSciVoc)

CORDIS classe les projets avec EuroSciVoc, une taxonomie multilingue des domaines scientifiques, grâce à un processus semi-automatique basé sur des techniques TLN. Voir: Le vocabulaire scientifique européen.

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Mots‑clés

Les mots-clés du projet tels qu’indiqués par le coordinateur du projet. À ne pas confondre avec la taxonomie EuroSciVoc (champ scientifique).

Programme(s)

Programmes de financement pluriannuels qui définissent les priorités de l’UE en matière de recherche et d’innovation.

Thème(s)

Les appels à propositions sont divisés en thèmes. Un thème définit un sujet ou un domaine spécifique dans le cadre duquel les candidats peuvent soumettre des propositions. La description d’un thème comprend sa portée spécifique et l’impact attendu du projet financé.

Régime de financement

Régime de financement (ou «type d’action») à l’intérieur d’un programme présentant des caractéristiques communes. Le régime de financement précise le champ d’application de ce qui est financé, le taux de remboursement, les critères d’évaluation spécifiques pour bénéficier du financement et les formes simplifiées de couverture des coûts, telles que les montants forfaitaires.

RIA - Research and Innovation action

Voir tous les projets financés dans le cadre de ce programme de financement

Appel à propositions

Procédure par laquelle les candidats sont invités à soumettre des propositions de projet en vue de bénéficier d’un financement de l’UE.

(s’ouvre dans une nouvelle fenêtre) H2020-SPACE-2018-2020

Voir tous les projets financés au titre de cet appel

Coordinateur

INTERUNIVERSITAIR MICRO-ELECTRONICA CENTRUM
Contribution nette de l'UE

La contribution financière nette de l’UE est la somme d’argent que le participant reçoit, déduite de la contribution de l’UE versée à son tiers lié. Elle prend en compte la répartition de la contribution financière de l’UE entre les bénéficiaires directs du projet et d’autres types de participants, tels que les participants tiers.

€ 824 694,25
Coût total

Les coûts totaux encourus par l’organisation concernée pour participer au projet, y compris les coûts directs et indirects. Ce montant est un sous-ensemble du budget global du projet.

€ 824 694,25

Participants (5)

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