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CORDIS - Risultati della ricerca dell’UE
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GaN Transistor Integrated Circuits

Descrizione del progetto

Dispositivi elettronici ad alta efficienza a base di nitruro di gallio

Il nitruro di gallio (GaN) è un semiconduttore a bandgap ampio utilizzato per transistor di potenza e circuiti integrati ad alta efficienza. I primi dispositivi elettronici di potenza GaN hanno dimostrato prestazioni dirompenti e riduzione del fattore di forma. Transistor ad alta mobilità elettronica basati su GaN consentono progetti innovativi per applicazioni spaziali. La riduzione dei parassiti induttivi e l’ottimizzazione dei componenti passivi induttivi sono la chiave per sbloccare il potenziale di questa tecnologia. Il progetto EleGaNT, finanziato dall’UE, si propone di dimostrare un livello più elevato di integrazione tra GaN e circuiti integrati. Il progetto dimostrerà progettazioni migliori di circuiti e dispositivi passivi GaN integrati e di schede di conversione del punto di carico.

Obiettivo

Discrete GaN power electronic devices have penetrated the consumer market and first products have amply demonstrated a disruptive improvement of the performance and reduction of the form factor.
With demonstrated robustness for heavy ion radiation and neutron radiation, p-GaN enhancement mode HEMTs allow disruptive innovative designs for space applications.
However, to unlock the full potential of the technology for point of load convertors, three important limitations need to be solved, as addressed in this project, i.e.
1) the reduction of the inductive parasitics through monolithic integration of drivers and power devices (GaN-IC)
2) optimization of the inductive passive components together with the active devices
3) a strong interaction between point of load convertor design and GaN-IC design.
Electrical performance and radiation robustness will be evaluated and assessed for space applications in the upcoming frame of satellites massive digitalization.
The project with duration of 36 months, comprises of two learning cycles in definition and refinement of the application requirements, design and manufacturing of the GaN-ICs and passive devices, and development of the point of load convertor boards, first with focus on the basic building blocks and initial prototypes, followed by further optimization towards the target requirements.
The consortium has been joined by Thales Alenia Space (France and Belgium) and Würth Elektronik as space and terrestrial point of load convertor manufacturers. IMEC contributes with its state-of-art GaN-IC platform technology and Würth Elektronik with the design and prototype manufacturing of the passives. MinDCet designs the optimized GaN-ICs and contributes with a state-of-art controller.
This project contributes to EU non-dependence of GaN technology as discrete GaN transistors are, so far, mostly produced by Asian and/or North American manufacturers and pushes the state-of-the-art with higher level of integration (GaN-IC).

Campo scientifico (EuroSciVoc)

CORDIS classifica i progetti con EuroSciVoc, una tassonomia multilingue dei campi scientifici, attraverso un processo semi-automatico basato su tecniche NLP. Cfr.: Il Vocabolario Scientifico Europeo.

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Parole chiave

Parole chiave del progetto, indicate dal coordinatore del progetto. Da non confondere con la tassonomia EuroSciVoc (campo scientifico).

Programma(i)

Programmi di finanziamento pluriennali che definiscono le priorità dell’UE in materia di ricerca e innovazione.

Argomento(i)

Gli inviti a presentare proposte sono suddivisi per argomenti. Un argomento definisce un’area o un tema specifico per il quale i candidati possono presentare proposte. La descrizione di un argomento comprende il suo ambito specifico e l’impatto previsto del progetto finanziato.

Meccanismo di finanziamento

Meccanismo di finanziamento (o «Tipo di azione») all’interno di un programma con caratteristiche comuni. Specifica: l’ambito di ciò che viene finanziato; il tasso di rimborso; i criteri di valutazione specifici per qualificarsi per il finanziamento; l’uso di forme semplificate di costi come gli importi forfettari.

RIA - Research and Innovation action

Vedi tutti i progetti finanziati nell’ambito di questo schema di finanziamento

Invito a presentare proposte

Procedura per invitare i candidati a presentare proposte di progetti, con l’obiettivo di ricevere finanziamenti dall’UE.

(si apre in una nuova finestra) H2020-SPACE-2018-2020

Vedi tutti i progetti finanziati nell’ambito del bando

Coordinatore

INTERUNIVERSITAIR MICRO-ELECTRONICA CENTRUM
Contributo netto dell'UE

Contributo finanziario netto dell’UE. La somma di denaro che il partecipante riceve, decurtata dal contributo dell’UE alla terza parte collegata. Tiene conto della distribuzione del contributo finanziario dell’UE tra i beneficiari diretti del progetto e altri tipi di partecipanti, come i partecipanti terzi.

€ 824 694,25
Indirizzo
KAPELDREEF 75
3001 Leuven
Belgio

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Regione
Vlaams Gewest Prov. Vlaams-Brabant Arr. Leuven
Tipo di attività
Research Organisations
Collegamenti
Costo totale

I costi totali sostenuti dall’organizzazione per partecipare al progetto, compresi i costi diretti e indiretti. Questo importo è un sottoinsieme del bilancio complessivo del progetto.

€ 824 694,25

Partecipanti (5)

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