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Embedded storage elements on next MCU generation ready for AI on the edge

Description du projet

Système sur puce haute performance pour l’informatique en périphérie

Le silicium sur isolant complètement appauvri (FD-SOI) est une technologie innovante qui exploite le processus planaire établi, tout en permettant la production de générations successives de puces plus petites. Il assure la continuité de la loi de Moore sans devoir faire appel à des processus de fabrication complexes. Le projet StorAIge, financé par l’UE, entend mettre au point et industrialiser le transistor FD-SOI de 28 nm et la mémoire à changement de phase intégrée afin d’élaborer des solutions de systèmes sur puce haute performance et à ultra-faible consommation d’énergie destinées aux applications de l’informatique en périphérie. Le projet cible les puces et les solutions intégrant des mémoires très efficaces et affichant une puissance de calcul élevée tout en délivrant des performances de l’ordre de 10 TOPS/W. StorAIge contribuera à définir la manière dont l’intelligence artificielle pourrait animer les dispositifs de périphérie de prochaine génération, en mettant un accent particulier sur les applications dans les domaines de l’automobile, de l’industrie et de la sécurité.

Objectif

The main objective of the storAIge project is the development and industrialization of FDSOI 28nm and next generation embedded Phase Change Memory (ePCM) world-class semiconductor technologies, allowing the prototyping of high performance, Ultra low power and secured & safety System on Chip (SoC) solutions enabling competitive Artificial Intelligence (AI) for Edge applications. The main challenge addressed by the project is on one hand to handle the complexity of sub-28nm ‘more than moore’ technologies and to bring them up at a high maturity level and on the other hand to handle the design of complex SoCs for more intelligent, secure, flexible, low power consumption and cost effective. The project is targeting chipset and solutions with very efficient memories and high computing power targeting 10 Tops per Watt.
The development of the most advanced automotive microcontrollers in FDSOI 28nm ePCM will be the support technology to demonstrate the high performances path as well as the robustness of the ePCM solution. The next generation of FDSOI ePCM will be main path for general purpose advanced microcontrollers usable for large volume Edge AI application in industrial and consumer markets with the best compromise on three requirements: performances, low power and adequate security.
On top of the development and industrialization of silicon process lines and SoC design, storAIge will also address new design methodologies and tools to facilitate the exploitation of these advanced technology nodes, particularly for high performance microcontrollers having AI capabilities. Activities will be performed to setup robust and adequate Security and Safety level in the final applications, defining and implementing the good ‘mixture’ and tradeoff between HW and SW solutions to speed up adoption for large volume applications.

Régime de financement

IA - Innovation action

Coordinateur

STMICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS
Contribution nette de l'UE
€ 5 660 860,50
Adresse
RUE JEAN MONNET 850
38920 Crolles
France

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Région
Auvergne-Rhône-Alpes Rhône-Alpes Isère
Type d’activité
Private for-profit entities (excluding Higher or Secondary Education Establishments)
Liens
Coût total
€ 28 304 302,50

Participants (43)