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Embedded storage elements on next MCU generation ready for AI on the edge

Projektbeschreibung

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Leistungsstarkes System auf einem Chip für Edge Computing

Vollständig verdünntes Silizium auf einem Isolator (Fully Depleted Silicon on Insulator, FD-SOI) ist eine innovative Technologie, die den etablierten planaren Prozess nutzt und gleichzeitig aufeinander folgende Generationen kleinerer Chips ermöglicht. Sie trägt zur Umsetzung des Mooreschen Gesetzes bei, ohne dass komplexe Herstellungsprozesse erforderlich sind. Das EU-finanzierte Projekt StorAIge zielt darauf ab, den 28-nm-FD-SOI-Transistor und den eingebetteten Phasenwechselspeicher zu entwickeln und zu industrialisieren, um hochleistungsfähige System-on-Chip-Lösungen mit extrem niedrigem Stromverbrauch für Edge-Computing-Anwendungen zu erstellen. Das Projekt richtet sich an Chipsätze und Lösungen mit sehr effizienten Speichern und hoher Rechenleistung, die auf 10 TOPS/W abzielen. StorAIge wird einen Beitrag dazu leisten, zu definieren, wie künstliche Intelligenz die nächste Generation von Edge-Geräten antreiben könnte, mit besonderem Schwerpunkt auf Anwendungen in den Bereichen Automobilindustrie, Industrie und Sicherheit.

Ziel

The main objective of the storAIge project is the development and industrialization of FDSOI 28nm and next generation embedded Phase Change Memory (ePCM) world-class semiconductor technologies, allowing the prototyping of high performance, Ultra low power and secured & safety System on Chip (SoC) solutions enabling competitive Artificial Intelligence (AI) for Edge applications. The main challenge addressed by the project is on one hand to handle the complexity of sub-28nm ‘more than moore’ technologies and to bring them up at a high maturity level and on the other hand to handle the design of complex SoCs for more intelligent, secure, flexible, low power consumption and cost effective. The project is targeting chipset and solutions with very efficient memories and high computing power targeting 10 Tops per Watt.
The development of the most advanced automotive microcontrollers in FDSOI 28nm ePCM will be the support technology to demonstrate the high performances path as well as the robustness of the ePCM solution. The next generation of FDSOI ePCM will be main path for general purpose advanced microcontrollers usable for large volume Edge AI application in industrial and consumer markets with the best compromise on three requirements: performances, low power and adequate security.
On top of the development and industrialization of silicon process lines and SoC design, storAIge will also address new design methodologies and tools to facilitate the exploitation of these advanced technology nodes, particularly for high performance microcontrollers having AI capabilities. Activities will be performed to setup robust and adequate Security and Safety level in the final applications, defining and implementing the good ‘mixture’ and tradeoff between HW and SW solutions to speed up adoption for large volume applications.

Wissenschaftliches Gebiet (EuroSciVoc)

CORDIS klassifiziert Projekte mit EuroSciVoc, einer mehrsprachigen Taxonomie der Wissenschaftsbereiche, durch einen halbautomatischen Prozess, der auf Verfahren der Verarbeitung natürlicher Sprache beruht.

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Schlüsselbegriffe

Programm/Programme

Thema/Themen

Aufforderung zur Vorschlagseinreichung

H2020-ECSEL-2020-1-IA-two-stage

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Finanzierungsplan

IA - Innovation action

Koordinator

STMICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS
Netto-EU-Beitrag
€ 5 660 860,50
Adresse
RUE JEAN MONNET 850
38920 Crolles
Frankreich

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Region
Auvergne-Rhône-Alpes Rhône-Alpes Isère
Aktivitätstyp
Private for-profit entities (excluding Higher or Secondary Education Establishments)
Links
Gesamtkosten
€ 28 304 302,50

Beteiligte (43)

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Letzte Aktualisierung: 29 Oktober 2024

Mein Booklet

Permalink: https://cordis.europa.eu/project/id/101007321/de

European Union, 2025