Memristor-Enabled NEuromorphic System for Intelligence in Space

Informations projet

MENESIS

N° de convention de subvention: 101029535

DOI

10.3030/101029535

Projet clôturé

Date de signature de la CE 26 Mars 2021

Date de début 1 Septembre 2021

Date de fin 31 Août 2023

Financé au titre de

• EXCELLENT SCIENCE - Marie Skłodowska-Curie Actions

Coût total

€ 212 933,76

Contribution de l’UE

€ 212 933,76

Coordonné par

UNIVERSITY OF SOUTHAMPTON
United Kingdom

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Les liens vers les livrables et les publications des projets du 7e PC, ainsi que les liens vers certains types de résultats spécifiques tels que les jeux de données et les logiciels, sont récupérés dynamiquement sur OpenAIRE .

Publications

Other (4)

γ-ray -induced Effects in Al:HfO2-based Memristor Devices for Memory and Sensor Applications

Auteurs: Om Kumar Prasad,Sridhar Chandrasekaran,Mari Napari,Irwan Purnama,Asep Nugroho,Dimitra Georgiadou,Kow-Ming Chang,Firman Simanjuntak
Publié dans: 2024
Éditeur: TechRxiv
DOI: 10.36227/techrxiv.171259972.26504822/v1

Exploring the switching nonuniformity of CBRAM for random number generators

Auteurs: Weixin Xu,Asep Nugroho,Irwan Purnama,Zohreh Hajiabadi,Aiden Graham,Alexander-Hanyu Wang,Sridhar Chandrasekaran,Firman Simanjuntak
Publié dans: 2024
Éditeur: Techrxiv
DOI: 10.36227/techrxiv.171259808.83723889/v1

Feasibility study of analogue filters based on memristor

Auteurs: Shan Gao,Sridhar Chandrasekaran,Irwan Purnama,Firman Simanjuntak
Publié dans: 2024
Éditeur: TechRxiv
DOI: 10.36227/techrxiv.171259787.75310222/v1

Invisible ZnO-based Memristor Universal Logic for Reconfigurable Electronics

Auteurs: Chen Hua,Sridhar Chandrasekaran,Shan Gao,Dimitra G Georgiadou,Zohreh Hajiabadi,Firman Simanjuntak
Publié dans: 2024
Éditeur: TechRxiv
DOI: 10.36227/techrxiv.171259797.74935979/v1

Peer reviewed articles (4)

Forming‑Free and Non‑linear Resistive Switching in Bilayer HfOx/TaOx Memory Devices by Interface‑Induced Internal Resistance

Auteurs: Mari Napari, Spyros Stathopoulos, Themis Prodromakis & Firman Simanjuntak
Publié dans: Electronic Materials Letters, 2024, ISSN 2093-6788
Éditeur: Springer
DOI: 10.1007/s13391-023-00481-w

Annealing induced cation diffusion in TaO x -based memristor and its compatibility for back-end-of-line post-processing

Auteurs: Prasad, Om Kumar Chandrasekaran, Sridhar Chung, Chin-han Chang, Kow-ming Simanjuntak, Firman Mangasa
Publié dans: Applied Physics Letters, 2022, ISSN 0003-6951
Éditeur: American Institute of Physics
DOI: 10.1063/5.0123583

Formation of a ternary oxide barrier layer and its role in switching characteristic of ZnO-based conductive bridge random access memory devices

Auteurs: Simanjuntak, Firman Mangasa Panidi, Julianna Talbi, Fayzah Kerrigan, Adam Lazarov, Vlado K. Prodromakis, Themistoklis
Publié dans: APL Materials, 2022, ISSN 2166-532X
Éditeur: AIP
DOI: 10.1063/5.0076903

Conduction channel configuration controlled digital and analog response in TiO 2 -based inorganic memristive artificial synapses

Auteurs: Simanjuntak, Firman Mangasa Hsu, Chun-Ling Abbey, Thomas Chang, Lung-Yu Rajasekaran, Sailesh Prodromakis, Themis Tseng, Tseung-Yuen
Publié dans: APL MAterials, 2021, ISSN 2166-532X
Éditeur: AIP
DOI: 10.1063/5.0067302

Conference proceedings (1)

Electrode engineering in memristors development for non-/erasable storage, random number generator, and synaptic applications

Auteurs: Simanjuntak, Firman Mangasa, Talbi, Fayzah, Kerrigan, Adam, Lazarov, Vlado K. and Prodromakis, Themistoklis
Publié dans: IEEExplore, 2022
Éditeur: IEEE
DOI: 10.1109/ies55876.2022.9888713