Memristor-Enabled NEuromorphic System for Intelligence in Space

Información del proyecto

MENESIS

Identificador del acuerdo de subvención: 101029535

DOI

10.3030/101029535

Proyecto cerrado

Fecha de la firma de la CE 26 Marzo 2021

Fecha de inicio 1 Septiembre 2021

Fecha de finalización 31 Agosto 2023

Financiado con arreglo a

• EXCELLENT SCIENCE - Marie Skłodowska-Curie Actions

Coste total

€ 212 933,76

Aportación de la UE

€ 212 933,76

Coordinado por

UNIVERSITY OF SOUTHAMPTON
United Kingdom

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Publicaciones

Other (4)

γ-ray -induced Effects in Al:HfO2-based Memristor Devices for Memory and Sensor Applications

Autores: Om Kumar Prasad,Sridhar Chandrasekaran,Mari Napari,Irwan Purnama,Asep Nugroho,Dimitra Georgiadou,Kow-Ming Chang,Firman Simanjuntak
Publicado en: 2024
Editor: TechRxiv
DOI: 10.36227/techrxiv.171259972.26504822/v1

Exploring the switching nonuniformity of CBRAM for random number generators

Autores: Weixin Xu,Asep Nugroho,Irwan Purnama,Zohreh Hajiabadi,Aiden Graham,Alexander-Hanyu Wang,Sridhar Chandrasekaran,Firman Simanjuntak
Publicado en: 2024
Editor: Techrxiv
DOI: 10.36227/techrxiv.171259808.83723889/v1

Feasibility study of analogue filters based on memristor

Autores: Shan Gao,Sridhar Chandrasekaran,Irwan Purnama,Firman Simanjuntak
Publicado en: 2024
Editor: TechRxiv
DOI: 10.36227/techrxiv.171259787.75310222/v1

Invisible ZnO-based Memristor Universal Logic for Reconfigurable Electronics

Autores: Chen Hua,Sridhar Chandrasekaran,Shan Gao,Dimitra G Georgiadou,Zohreh Hajiabadi,Firman Simanjuntak
Publicado en: 2024
Editor: TechRxiv
DOI: 10.36227/techrxiv.171259797.74935979/v1

Peer reviewed articles (4)

Forming‑Free and Non‑linear Resistive Switching in Bilayer HfOx/TaOx Memory Devices by Interface‑Induced Internal Resistance

Autores: Mari Napari, Spyros Stathopoulos, Themis Prodromakis & Firman Simanjuntak
Publicado en: Electronic Materials Letters, 2024, ISSN 2093-6788
Editor: Springer
DOI: 10.1007/s13391-023-00481-w

Annealing induced cation diffusion in TaO x -based memristor and its compatibility for back-end-of-line post-processing

Autores: Prasad, Om Kumar Chandrasekaran, Sridhar Chung, Chin-han Chang, Kow-ming Simanjuntak, Firman Mangasa
Publicado en: Applied Physics Letters, 2022, ISSN 0003-6951
Editor: American Institute of Physics
DOI: 10.1063/5.0123583

Formation of a ternary oxide barrier layer and its role in switching characteristic of ZnO-based conductive bridge random access memory devices

Autores: Simanjuntak, Firman Mangasa Panidi, Julianna Talbi, Fayzah Kerrigan, Adam Lazarov, Vlado K. Prodromakis, Themistoklis
Publicado en: APL Materials, 2022, ISSN 2166-532X
Editor: AIP
DOI: 10.1063/5.0076903

Conduction channel configuration controlled digital and analog response in TiO 2 -based inorganic memristive artificial synapses

Autores: Simanjuntak, Firman Mangasa Hsu, Chun-Ling Abbey, Thomas Chang, Lung-Yu Rajasekaran, Sailesh Prodromakis, Themis Tseng, Tseung-Yuen
Publicado en: APL MAterials, 2021, ISSN 2166-532X
Editor: AIP
DOI: 10.1063/5.0067302

Conference proceedings (1)

Electrode engineering in memristors development for non-/erasable storage, random number generator, and synaptic applications

Autores: Simanjuntak, Firman Mangasa, Talbi, Fayzah, Kerrigan, Adam, Lazarov, Vlado K. and Prodromakis, Themistoklis
Publicado en: IEEExplore, 2022
Editor: IEEE
DOI: 10.1109/ies55876.2022.9888713