Description du projet
L’avenir de la technologie des semi-conducteurs de puissance
L’essor de l’électronique de puissance et des semi-conducteurs de puissance ouvre la voie à la numérisation et à l’électrification de notre société. De plus, son approvisionnement en énergie durable donne lieu à de nouvelles exigences en matière de conception et d’intégration des matériaux semi-conducteurs et d’interconnexion. Dans ce contexte, le projet AddMorePower, financé par l’UE, proposera les techniques de caractérisation et de modélisation nécessaires pour répondre aux besoins des prochaines générations de semi-conducteurs de puissance. Globalement, il améliorera les techniques de caractérisation par rayons X et à sonde électronique pour en faire des outils quantitatifs et automatisés pour le secteur des semi-conducteurs de puissance et pour perfectionner les méthodes de modélisation (à l’aide de MODA ) et de gestion des données FAIR. Ce faisant, il favorisera l’intégration et le développement des matériaux destinés aux technologies européennes de semi-conducteurs de puissance.
Objectif
The proposed project AddMorePower aims to advance X-ray- and electron-probe related characterization techniques to make them quantitative and automated tools for the power semiconductor industry, and to refine modelling (using MODA) and FAIR data-management methods to enhance and efficiently use characterization data (using CHADA). Thereby, AddMorePower will promote the materials integration and development for European power semiconductor technologies, to allow a broader and faster market penetration, while also providing new opportunities for other industries basing themselves on mono- and polycrystalline materials. With the rapid and massive spread of power electronics and power semiconductors to enable the digitalization and the electrification of our society and its supply with sustainable energy, new requirements arise to the conception and integration of semiconductor and interconnect materials. AddMorePower will provide the necessary characterization and modelling techniques that meet the particular needs of the upcoming power semiconductor technology generations:
1. The transition to the new semiconductor materials gallium nitride (GaN) and silicon carbide (SiC), mainly limited by defects in the crystal lattice, for which currently no established characterization workflows exist.
2. The starting 3D-integration also of power devices, posing severe thermo-mechanical challenges to the involved metals and intermetallic materials, which can only be mastered by understanding gained by predictive modelling.
3. The trend towards digitalization and industry4.0 which requires FAIR (findable, accessible, interoperable and reusable) data at all development and production steps.
The project brings together renowned research institutes with many years of experience in electron- and X-ray characterization, emerging new research groups and company start-ups and researchers with a track record in multi-physics materials modelling as well as data engineering.
Champ scientifique
- engineering and technologyenvironmental engineeringenergy and fuelsrenewable energy
- natural sciencesphysical sciencesatomic physics
- natural scienceschemical sciencesinorganic chemistrypost-transition metals
- natural sciencesphysical scienceselectromagnetism and electronicssemiconductivity
- natural sciencescomputer and information sciencescomputational sciencemultiphysics
Mots‑clés
Programme(s)
Thème(s)
Régime de financement
HORIZON-RIA - HORIZON Research and Innovation ActionsCoordinateur
80686 Munchen
Allemagne