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Approaching the maximum thermoelectric figure of merit of 2D materials by nanoengineering

Projektbeschreibung

Thermoelektrische Wissenschaft soll Lücken in der Nanotechnologie schließen

Angesichts der Grenzen der derzeitigen Nanotechnologie stoßen herkömmliche Methoden an ihre Grenzen, wenn es darum geht, die Wärmeleitfähigkeit (κ) zu verringern und gleichzeitig die thermoelektrische Leistungszahl (ZT) von Werkstoffen zu erhöhen. Richtungsabhängige Beschränkungen verhindern eine vollständige κ-Verringerung, während die Bemühungen um eine Erhöhung der ZT oft auf Kosten der elektrischen Leitfähigkeit gehen. Im Rahmen des über die Marie-Skłodowska-Curie-Maßnahmen unterstützten Projekts CARMEN werden die außergewöhnlichen Eigenschaften von zweidimensionalem SnSe2 genutzt. Es zielt darauf ab, die oben genannten Herausforderungen zu überwinden und den Weg für fortgeschrittene Werkstoffe zu ebnen, die in der Lage sind, die Abwärme der Elektronik effizient zu nutzen. Dieses Projekt deckt nicht nur einen dringenden Bedarf, sondern birgt auch ein transformatives Potenzial für die Wärmetechnik, die Quantentechnologien und vieles mehr.

Ziel

Nanoengineering techniques have been developed to reduce thermal conductivity (κ) and improve the thermoelectric figure of merit (ZT) of materials. However, both these strategies have had their own limitations. Firstly, due to the nanopatterns only reducing the κ in a single direction, is difficult to reduce the total κ of thermal isotropic materials. Secondly, when nanoengineering the material to increase ZT by lowering its κ, the nanopatterned sample with large porosity (> 0.5) can greatly remove its volume and suppress the electron mean free path, which would also significantly reduce the electrical conductivity (σ) and resulted in a low increase of the ZT value. CARMEN will overcome these limitations by taking two advantages of emerging two-dimensional (2D) materials, especially SnSe2: a high Seebeck coefficient of 500 μV/K at 298 K and a high anisotropic κ ratio of ~ 8.4. Therefore, nanoengineering 2D materials can reduce their κ to approach the maximum value of ZT with a limited reduction in σ. Additionally, the phonon drag of SnSe2 was first revealed by the applicant during a three-month research visit in the supervisor's group, which will be further investigated by CARMEN. To understand and exploit the thermoelectric properties of 2D materials, CARMEN will design, construct, measure, and explore nanopatterned SnSe2 to approach its maximum thermoelectric ZT value above room temperature and to manipulate the phonon drag in SnSe2 at low temperatures (1 - 273 K). The project is motivated in part by the urgent need for highly thermoelectric ZT materials to harvest waste heat from electronics, and in part by the fundamental quest toward understanding and manipulating the phonon-electron interaction in 2D materials. It represents an extraordinary training opportunity on complementary scientific and soft skills for the applicant and has transformational impact potential on flexible thermoelectric devices, thermal engineering, quantum technologies, and beyond.

Koordinator

CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE CNRS
Netto-EU-Beitrag
€ 211 754,88
Adresse
RUE MICHEL ANGE 3
75794 Paris
Frankreich

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Region
Ile-de-France Ile-de-France Paris
Aktivitätstyp
Research Organisations
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Gesamtkosten
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