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CORDIS - Risultati della ricerca dell’UE
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INTEgrating GaN nanowire heterostructures on 2D heteRogeneous plAtforms for photodetectION

Obiettivo

III-nitride semiconductors (GaN/AlGaN) are strategic materials for photodetection in a broad spectral range from deep ultraviolet to far infrared. These domains can be addressed thanks to interband and intersubband transitions respectively, which cover wavelengths inaccessible to standard III-V semiconductors. Heterogeneous integration of III-N nanowires (NWs) on 2D materials at the same time opens new technological opportunities for advanced optoelectronics and presents fundamental interest to elucidate the physics of van der Waals epitaxy (vdWE). Available research on epitaxial growth of GaN NWs on 2D graphene has demonstrated its promise; however, the scope for improvement remains limited. A number of questions with fundamental significance e.g. the influence of the 2D material in NW growth, controlling factors for NW size/size-distribution, and generalized understanding of vdWE with experimental authentication remain open. INTEGRASION proposes to address these open questions and to achieve a general understanding of vdWE of nitrides on 2D materials for advanced optoelectronic devices. To reach this goal, GaN/AlGaN NWs will be grown on 2D transition metal dichalcogenides (WS2) and comparative analysis will be performed with growth on graphene. The fundamentals of growth process will be assessed experimentally and theoretically emphasizing the impact of 2D materials on the NW growth which is pivotal for heterojunction formation. GaN/AlGaN heterojunctions in multi-quantum well structure will be grown on 2D platforms to demonstrate interband UV photodetection as well as intersubband photodetection in mid- and far-infrared domains. Besides, heterogeneous integration of GaN NWs on 2D platforms will facilitate the post-growth transfer of III-N NWs to flexible substrates where monolithic integration is not possible. INTEGRASION will address these three key aspects: (i) heterogenous growth, (ii) interband/intersubband photodetection and (iii) hybrid integration.

Campo scientifico (EuroSciVoc)

CORDIS classifica i progetti con EuroSciVoc, una tassonomia multilingue dei campi scientifici, attraverso un processo semi-automatico basato su tecniche NLP. Cfr.: Il Vocabolario Scientifico Europeo.

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Parole chiave

Parole chiave del progetto, indicate dal coordinatore del progetto. Da non confondere con la tassonomia EuroSciVoc (campo scientifico).

Programma(i)

Programmi di finanziamento pluriennali che definiscono le priorità dell’UE in materia di ricerca e innovazione.

Argomento(i)

Gli inviti a presentare proposte sono suddivisi per argomenti. Un argomento definisce un’area o un tema specifico per il quale i candidati possono presentare proposte. La descrizione di un argomento comprende il suo ambito specifico e l’impatto previsto del progetto finanziato.

Meccanismo di finanziamento

Meccanismo di finanziamento (o «Tipo di azione») all’interno di un programma con caratteristiche comuni. Specifica: l’ambito di ciò che viene finanziato; il tasso di rimborso; i criteri di valutazione specifici per qualificarsi per il finanziamento; l’uso di forme semplificate di costi come gli importi forfettari.

HORIZON-TMA-MSCA-PF-EF - HORIZON TMA MSCA Postdoctoral Fellowships - European Fellowships

Vedi tutti i progetti finanziati nell’ambito di questo schema di finanziamento

Invito a presentare proposte

Procedura per invitare i candidati a presentare proposte di progetti, con l’obiettivo di ricevere finanziamenti dall’UE.

(si apre in una nuova finestra) HORIZON-MSCA-2023-PF-01

Vedi tutti i progetti finanziati nell’ambito del bando

Coordinatore

UNIVERSITE PARIS-SACLAY
Contributo netto dell'UE

Contributo finanziario netto dell’UE. La somma di denaro che il partecipante riceve, decurtata dal contributo dell’UE alla terza parte collegata. Tiene conto della distribuzione del contributo finanziario dell’UE tra i beneficiari diretti del progetto e altri tipi di partecipanti, come i partecipanti terzi.

€ 211 754,88
Indirizzo
BATIMENT BREGUET - 3 RUE JOLIOT CURIE
91190 GIF-SUR-YVETTE
Francia

Mostra sulla mappa

Regione
Ile-de-France Ile-de-France Essonne
Tipo di attività
Higher or Secondary Education Establishments
Collegamenti
Costo totale

I costi totali sostenuti dall’organizzazione per partecipare al progetto, compresi i costi diretti e indiretti. Questo importo è un sottoinsieme del bilancio complessivo del progetto.

Nessun dato
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