Safer and More Reliable WBG/UWBG-Based MVDC Power Converters

Informations projet

SAFEPOWER

N° de convention de subvention: 101172940

DOI

10.3030/101172940

Date de signature de la CE 5 Août 2024

Date de début 1 Octobre 2024

Date de fin 30 Septembre 2028

Financé au titre de

• Climate, Energy and Mobility

Coût total

€ 4 332 803,75

Contribution de l’UE

€ 4 332 803,75

Coordonné par

AGENCIA ESTATAL CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTIFICAS
Spain

CORDIS fournit des liens vers les livrables publics et les publications des projets HORIZON.

Les liens vers les livrables et les publications des projets du 7e PC, ainsi que les liens vers certains types de résultats spécifiques tels que les jeux de données et les logiciels, sont récupérés dynamiquement sur OpenAIRE .

Publications

Conference proceedings (4)

Tuning Silicon Implantation for alpha-Ga2O3 and beta-Ga2O3 MESFET Transistors

Auteurs: Vellvehí i Llovet, Aniol; Gallardo, Fernando; Butanovs, Edgars; Chikoidze, Ekaterine; Chi, Zeyu; Rebollo, Jose; Vellvehi, Miquel; Perez-Tomas, Amador
Publié dans: 8th International Workshop on Ultra-Wide Bandgap Materials and Devices, 2025
DOI: 10.5281/ZENODO.17713047

Study of Ga2O3 thin films homoepitaxially grown on (010), (-201), and (001) substrates.

Auteurs: Sallet, Vincent; Amiri, gaelle.amiri; SAID HASSANI, Saïd Assoumani; SARTEL, Corinne; Chauveau, Jean-Michel; Chikoidze, Ekaterine; CHI, Zeyu
Publié dans: GDR CNRS Matériaux Epitaxiés 2025 (GdR MATEPI 2025), 2025
Éditeur: UMR8635 CNRS -UVSQ
DOI: 10.5281/ZENODO.17938860

Anomaly Detection in Power Inverters of Electromechanical Actuators based on Convolutional Neural Network and Long Short-Term Memory Cells

Auteurs: Chenyang Lai, Piero Baraldi, null Aruna, Leonardo Baldo, Matteo Davide Lorenzo Dalla Vedova, Gaetano Quattrocchi, Enrico Zio
Publié dans: 2025 9th International Conference on System Reliability and Safety (ICSRS), 2026
Éditeur: IEEE
DOI: 10.1109/ICSRS68021.2025.11422055

Measurement of Free-Carrier Density in a 1.2 kV SiC Schottky Diode under Overstress Conditions

Auteurs: Bonet Isidro, Ferran; Aviñó Salvadó, Oriol; JORDA, Xavier; Perpiñà, Xavier
DOI: 10.23919/ISPSD62843.2025.11117483

Peer reviewed articles (4)

Anderson disorder related p-type conductivity and metal-insulator transition in β-Ga2O3

Auteurs: Zeyu Chi; Se-Rim Park; Luka Burdiladze; Tamar Tchelidze; Jean-Michel Chauveau; Yves Dumont; Sang-Mo Koo; Zurab Kushitashvili; Amiran Bibilashvili; Gérard Guillot; Amador Pérez-Tomás; Xin-Ying Tsai; Fu-Gow Tarntair; Ray Hua Horng; Ekaterine Chikoidze
Publié dans: Materials Today Physics, 2024, ISSN 2542-5293
Éditeur: Elsevier
DOI: 10.1016/J.MTPHYS.2024.101602

High Voltage Design Strategies for Gallium Oxide Power Devices

Auteurs: Martinez, A.; Evans, Jon; Ghosh, Saptarsi; Chikoidze, Ekaterine; Perez-Tomas, Amador; Vellvehi, Miquel; Guy, Owen; Jennings, Michael; Danielle, Goodwin; Nicholas, Edwards; Martinez, A.; Mitchell, J; Asher, J; Monaghan, F; Burnett, J; Fisher, C; Ashraf, H; Colombier, C
Publié dans: IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing, 2025, ISSN 1558-2345
Éditeur: IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing
DOI: 10.1109/TSM.2025.3597872

Measurement of Free-Carrier Density in a 1.2 kV SiC Schottky Diode Under Overstress Conditions

Auteurs: Bonet Isidro, Ferran; Aviñó Salvadó, Oriol; JORDA, Xavier; Perpiñà, Xavier
Publié dans: 2025 37th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), 2025, ISSN 1946-0201
Éditeur: IEEE
DOI: 10.23919/ISPSD62843.2025.11117483

Single-Event Burnout Mitigation in Silicon VDMOS Power Devices: An Electro-Thermal TCAD Study

Auteurs: Eusebio Rodrigo, José Rebollo, Xavier Jordà, José Camps, Llorenç Latorre, Miquel Vellvehi
Publié dans: Electronics, Numéro 15, 2026, ISSN 2079-9292
Éditeur: MDPI AG
DOI: 10.3390/ELECTRONICS15061201