Safer and More Reliable WBG/UWBG-Based MVDC Power Converters

Informacje na temat projektu

SAFEPOWER

Identyfikator umowy o grant: 101172940

DOI

10.3030/101172940

Data podpisania przez KE 5 Sierpnia 2024

Data rozpoczęcia 1 Października 2024

Data zakończenia 30 Września 2028

Finansowanie w ramach

• Climate, Energy and Mobility

Koszt całkowity

€ 4 332 803,75

Wkład UE

€ 4 332 803,75

Koordynowany przez

AGENCIA ESTATAL CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTIFICAS
Spain

CORDIS oferuje możliwość skorzystania z odnośników do publicznie dostępnych publikacji i rezultatów projektów realizowanych w ramach programów ramowych HORYZONT.

Odnośniki do rezultatów i publikacji związanych z poszczególnymi projektami 7PR, a także odnośniki do niektórych konkretnych kategorii wyników, takich jak zbiory danych i oprogramowanie, są dynamicznie pobierane z systemu OpenAIRE .

Publikacje

Conference proceedings (4)

Tuning Silicon Implantation for alpha-Ga2O3 and beta-Ga2O3 MESFET Transistors

Autorzy: Vellvehí i Llovet, Aniol; Gallardo, Fernando; Butanovs, Edgars; Chikoidze, Ekaterine; Chi, Zeyu; Rebollo, Jose; Vellvehi, Miquel; Perez-Tomas, Amador
Opublikowane w: 8th International Workshop on Ultra-Wide Bandgap Materials and Devices, 2025
DOI: 10.5281/ZENODO.17713047

Study of Ga2O3 thin films homoepitaxially grown on (010), (-201), and (001) substrates.

Autorzy: Sallet, Vincent; Amiri, gaelle.amiri; SAID HASSANI, Saïd Assoumani; SARTEL, Corinne; Chauveau, Jean-Michel; Chikoidze, Ekaterine; CHI, Zeyu
Opublikowane w: GDR CNRS Matériaux Epitaxiés 2025 (GdR MATEPI 2025), 2025
Wydawca: UMR8635 CNRS -UVSQ
DOI: 10.5281/ZENODO.17938860

Anomaly Detection in Power Inverters of Electromechanical Actuators based on Convolutional Neural Network and Long Short-Term Memory Cells

Autorzy: Chenyang Lai, Piero Baraldi, null Aruna, Leonardo Baldo, Matteo Davide Lorenzo Dalla Vedova, Gaetano Quattrocchi, Enrico Zio
Opublikowane w: 2025 9th International Conference on System Reliability and Safety (ICSRS), 2026
Wydawca: IEEE
DOI: 10.1109/ICSRS68021.2025.11422055

Measurement of Free-Carrier Density in a 1.2 kV SiC Schottky Diode under Overstress Conditions

Autorzy: Bonet Isidro, Ferran; Aviñó Salvadó, Oriol; JORDA, Xavier; Perpiñà, Xavier
DOI: 10.23919/ISPSD62843.2025.11117483

Peer reviewed articles (4)

Anderson disorder related p-type conductivity and metal-insulator transition in β-Ga2O3

Autorzy: Zeyu Chi; Se-Rim Park; Luka Burdiladze; Tamar Tchelidze; Jean-Michel Chauveau; Yves Dumont; Sang-Mo Koo; Zurab Kushitashvili; Amiran Bibilashvili; Gérard Guillot; Amador Pérez-Tomás; Xin-Ying Tsai; Fu-Gow Tarntair; Ray Hua Horng; Ekaterine Chikoidze
Opublikowane w: Materials Today Physics, 2024, ISSN 2542-5293
Wydawca: Elsevier
DOI: 10.1016/J.MTPHYS.2024.101602

High Voltage Design Strategies for Gallium Oxide Power Devices

Autorzy: Martinez, A.; Evans, Jon; Ghosh, Saptarsi; Chikoidze, Ekaterine; Perez-Tomas, Amador; Vellvehi, Miquel; Guy, Owen; Jennings, Michael; Danielle, Goodwin; Nicholas, Edwards; Martinez, A.; Mitchell, J; Asher, J; Monaghan, F; Burnett, J; Fisher, C; Ashraf, H; Colombier, C
Opublikowane w: IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing, 2025, ISSN 1558-2345
Wydawca: IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing
DOI: 10.1109/TSM.2025.3597872

Measurement of Free-Carrier Density in a 1.2 kV SiC Schottky Diode Under Overstress Conditions

Autorzy: Bonet Isidro, Ferran; Aviñó Salvadó, Oriol; JORDA, Xavier; Perpiñà, Xavier
Opublikowane w: 2025 37th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), 2025, ISSN 1946-0201
Wydawca: IEEE
DOI: 10.23919/ISPSD62843.2025.11117483

Single-Event Burnout Mitigation in Silicon VDMOS Power Devices: An Electro-Thermal TCAD Study

Autorzy: Eusebio Rodrigo, José Rebollo, Xavier Jordà, José Camps, Llorenç Latorre, Miquel Vellvehi
Opublikowane w: Electronics, Numer 15, 2026, ISSN 2079-9292
Wydawca: MDPI AG
DOI: 10.3390/ELECTRONICS15061201