Objetivo
The NANSDEV Action aimed to study semiconductor structures in which the confinement of electrons in more than one direction is an important determinant of their electronic and optical properties, and which take advantage of the very low scattering in very high mobility two-dimensional electron gas layers. Revealing and exploring phenomena which might be exploitable in future semiconductor devices was the main focus of the work. Fabrication technologies for structures with critical dimensions down to 10 nm were to be developed and the process-related issues studied.
Semiconductor structures and devices with critical feature sizes down to 10 nm (so called nanostructures) were studied. Knowledge of the properties of nanostructures is important both to understand the behaviour of conventional electronic devices at the limits of miniaturization and to invent new classes of devices. Technologies suited to the fabrication of nanostructures, including electron beam nanolithography, dry etching and molecular beam epitaxial growth, were optimized for this purpose.
Research has been carried out in the following areas:
quantum transport (progess has been made in understanding the properties of electronic transport in ultrasmall quantum dots defined by 2 or more point contacts);
periodic structures (understanding of the static and dynamic properties of electrons confined in lateral superlattice potentials of various geometry and strength has vastly increased);
overgrowth (this topic was expanded to include not only the overgrowth of laterally patterned quantum well material to reduce the effects of the air semiconductor interface, but also the direct growth of nanostructures using the inherent mechanisms of the growth process itself);
optics (luminescence studies of overgrown quantum dots showed not only the increase in luminescence efficiency but also significant red shifting and broadening of the emission peak and to further explore the role of defects in determining luminescence efficiency, the transition between wire- behaviour and dot- behaviour was studied and showed that the luminescence from a wire increases as the wire is shortened);
growth (having shown that gallium arsenic can be growth with sufficiently high purity and quality to obtain peak mobilities of 4E5 cm{2}/Vs rather than the more common arsenic(4) this material was incorporated into 2-dimensional electron gas (2DEG) layers and with further attention to sources of impurities in the growth machine, it has been shown that full wafers of 2DEG material having mobili ty approximately 3E6 cm{2}/Vs can be consistently grown).
POTENTIAL
The miniaturisation of conventional electronic devices could be inhibited for a variety of reasons, including fundamental limitations to device operation and difficulties in fabrication. At the same time, the new physics revealed in ultra-small semiconductor structures may be exploitable. The outcome of this Action is expected to improve understanding of these limiting mechanisms and the prospects for overcoming them, and help to improve the likelihood of exploiting new phenomena in useful devices.
Ámbito científico (EuroSciVoc)
CORDIS clasifica los proyectos con EuroSciVoc, una taxonomía plurilingüe de ámbitos científicos, mediante un proceso semiautomático basado en técnicas de procesamiento del lenguaje natural. Véas: El vocabulario científico europeo..
CORDIS clasifica los proyectos con EuroSciVoc, una taxonomía plurilingüe de ámbitos científicos, mediante un proceso semiautomático basado en técnicas de procesamiento del lenguaje natural. Véas: El vocabulario científico europeo..
- ciencias naturales ciencias químicas química inorgánica metales de postransición
- ciencias naturales ciencias físicas óptica
- ciencias naturales ciencias físicas electromagnetismo y electrónica dispositivo semiconductor
- ciencias naturales matemáticas matemáticas puras geometría
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Programa(s)
Programas de financiación plurianuales que definen las prioridades de la UE en materia de investigación e innovación.
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Tema(s)
Las convocatorias de propuestas se dividen en temas. Un tema define una materia o área específica para la que los solicitantes pueden presentar propuestas. La descripción de un tema comprende su alcance específico y la repercusión prevista del proyecto financiado.
Datos no disponibles
Las convocatorias de propuestas se dividen en temas. Un tema define una materia o área específica para la que los solicitantes pueden presentar propuestas. La descripción de un tema comprende su alcance específico y la repercusión prevista del proyecto financiado.
Convocatoria de propuestas
Procedimiento para invitar a los solicitantes a presentar propuestas de proyectos con el objetivo de obtener financiación de la UE.
Datos no disponibles
Procedimiento para invitar a los solicitantes a presentar propuestas de proyectos con el objetivo de obtener financiación de la UE.
Régimen de financiación
Régimen de financiación (o «Tipo de acción») dentro de un programa con características comunes. Especifica: el alcance de lo que se financia; el porcentaje de reembolso; los criterios específicos de evaluación para optar a la financiación; y el uso de formas simplificadas de costes como los importes a tanto alzado.
Régimen de financiación (o «Tipo de acción») dentro de un programa con características comunes. Especifica: el alcance de lo que se financia; el porcentaje de reembolso; los criterios específicos de evaluación para optar a la financiación; y el uso de formas simplificadas de costes como los importes a tanto alzado.
Datos no disponibles
Coordinador
G12 8LT GLASGOW
Reino Unido
Los costes totales en que ha incurrido esta organización para participar en el proyecto, incluidos los costes directos e indirectos. Este importe es un subconjunto del presupuesto total del proyecto.