Skip to main content
Weiter zur Homepage der Europäischen Kommission (öffnet in neuem Fenster)
Deutsch de
CORDIS - Forschungsergebnisse der EU
CORDIS
Inhalt archiviert am 2024-04-16

Nanostructures for Semiconductor Devices

Ziel

The NANSDEV Action aimed to study semiconductor structures in which the confinement of electrons in more than one direction is an important determinant of their electronic and optical properties, and which take advantage of the very low scattering in very high mobility two-dimensional electron gas layers. Revealing and exploring phenomena which might be exploitable in future semiconductor devices was the main focus of the work. Fabrication technologies for structures with critical dimensions down to 10 nm were to be developed and the process-related issues studied.
Semiconductor structures and devices with critical feature sizes down to 10 nm (so called nanostructures) were studied. Knowledge of the properties of nanostructures is important both to understand the behaviour of conventional electronic devices at the limits of miniaturization and to invent new classes of devices. Technologies suited to the fabrication of nanostructures, including electron beam nanolithography, dry etching and molecular beam epitaxial growth, were optimized for this purpose.

Research has been carried out in the following areas:
quantum transport (progess has been made in understanding the properties of electronic transport in ultrasmall quantum dots defined by 2 or more point contacts);
periodic structures (understanding of the static and dynamic properties of electrons confined in lateral superlattice potentials of various geometry and strength has vastly increased);
overgrowth (this topic was expanded to include not only the overgrowth of laterally patterned quantum well material to reduce the effects of the air semiconductor interface, but also the direct growth of nanostructures using the inherent mechanisms of the growth process itself);
optics (luminescence studies of overgrown quantum dots showed not only the increase in luminescence efficiency but also significant red shifting and broadening of the emission peak and to further explore the role of defects in determining luminescence efficiency, the transition between wire- behaviour and dot- behaviour was studied and showed that the luminescence from a wire increases as the wire is shortened);
growth (having shown that gallium arsenic can be growth with sufficiently high purity and quality to obtain peak mobilities of 4E5 cm{2}/Vs rather than the more common arsenic(4) this material was incorporated into 2-dimensional electron gas (2DEG) layers and with further attention to sources of impurities in the growth machine, it has been shown that full wafers of 2DEG material having mobili ty approximately 3E6 cm{2}/Vs can be consistently grown).
POTENTIAL
The miniaturisation of conventional electronic devices could be inhibited for a variety of reasons, including fundamental limitations to device operation and difficulties in fabrication. At the same time, the new physics revealed in ultra-small semiconductor structures may be exploitable. The outcome of this Action is expected to improve understanding of these limiting mechanisms and the prospects for overcoming them, and help to improve the likelihood of exploiting new phenomena in useful devices.

Wissenschaftliches Gebiet (EuroSciVoc)

CORDIS klassifiziert Projekte mit EuroSciVoc, einer mehrsprachigen Taxonomie der Wissenschaftsbereiche, durch einen halbautomatischen Prozess, der auf Verfahren der Verarbeitung natürlicher Sprache beruht. Siehe: Das European Science Vocabulary.

Sie müssen sich anmelden oder registrieren, um diese Funktion zu nutzen

Programm/Programme

Mehrjährige Finanzierungsprogramme, in denen die Prioritäten der EU für Forschung und Innovation festgelegt sind.

Thema/Themen

Aufforderungen zur Einreichung von Vorschlägen sind nach Themen gegliedert. Ein Thema definiert einen bestimmten Bereich oder ein Gebiet, zu dem Vorschläge eingereicht werden können. Die Beschreibung eines Themas umfasst seinen spezifischen Umfang und die erwarteten Auswirkungen des finanzierten Projekts.

Daten nicht verfügbar

Aufforderung zur Vorschlagseinreichung

Verfahren zur Aufforderung zur Einreichung von Projektvorschlägen mit dem Ziel, eine EU-Finanzierung zu erhalten.

Daten nicht verfügbar

Finanzierungsplan

Finanzierungsregelung (oder „Art der Maßnahme“) innerhalb eines Programms mit gemeinsamen Merkmalen. Sieht folgendes vor: den Umfang der finanzierten Maßnahmen, den Erstattungssatz, spezifische Bewertungskriterien für die Finanzierung und die Verwendung vereinfachter Kostenformen wie Pauschalbeträge.

Daten nicht verfügbar

Koordinator

UNIVERSITY OF GLASGOW
EU-Beitrag
Keine Daten
Adresse
Oakfield Avenue, Rankine Building
G12 8LT GLASGOW
Vereinigtes Königreich

Auf der Karte ansehen

Gesamtkosten

Die Gesamtkosten, die dieser Organisation durch die Beteiligung am Projekt entstanden sind, einschließlich der direkten und indirekten Kosten. Dieser Betrag ist Teil des Gesamtbudgets des Projekts.

Keine Daten

Beteiligte (6)

Mein Booklet 0 0