Obiettivo
The NANSDEV Action aimed to study semiconductor structures in which the confinement of electrons in more than one direction is an important determinant of their electronic and optical properties, and which take advantage of the very low scattering in very high mobility two-dimensional electron gas layers. Revealing and exploring phenomena which might be exploitable in future semiconductor devices was the main focus of the work. Fabrication technologies for structures with critical dimensions down to 10 nm were to be developed and the process-related issues studied.
Semiconductor structures and devices with critical feature sizes down to 10 nm (so called nanostructures) were studied. Knowledge of the properties of nanostructures is important both to understand the behaviour of conventional electronic devices at the limits of miniaturization and to invent new classes of devices. Technologies suited to the fabrication of nanostructures, including electron beam nanolithography, dry etching and molecular beam epitaxial growth, were optimized for this purpose.
Research has been carried out in the following areas:
quantum transport (progess has been made in understanding the properties of electronic transport in ultrasmall quantum dots defined by 2 or more point contacts);
periodic structures (understanding of the static and dynamic properties of electrons confined in lateral superlattice potentials of various geometry and strength has vastly increased);
overgrowth (this topic was expanded to include not only the overgrowth of laterally patterned quantum well material to reduce the effects of the air semiconductor interface, but also the direct growth of nanostructures using the inherent mechanisms of the growth process itself);
optics (luminescence studies of overgrown quantum dots showed not only the increase in luminescence efficiency but also significant red shifting and broadening of the emission peak and to further explore the role of defects in determining luminescence efficiency, the transition between wire- behaviour and dot- behaviour was studied and showed that the luminescence from a wire increases as the wire is shortened);
growth (having shown that gallium arsenic can be growth with sufficiently high purity and quality to obtain peak mobilities of 4E5 cm{2}/Vs rather than the more common arsenic(4) this material was incorporated into 2-dimensional electron gas (2DEG) layers and with further attention to sources of impurities in the growth machine, it has been shown that full wafers of 2DEG material having mobili ty approximately 3E6 cm{2}/Vs can be consistently grown).
POTENTIAL
The miniaturisation of conventional electronic devices could be inhibited for a variety of reasons, including fundamental limitations to device operation and difficulties in fabrication. At the same time, the new physics revealed in ultra-small semiconductor structures may be exploitable. The outcome of this Action is expected to improve understanding of these limiting mechanisms and the prospects for overcoming them, and help to improve the likelihood of exploiting new phenomena in useful devices.
Campo scientifico (EuroSciVoc)
CORDIS classifica i progetti con EuroSciVoc, una tassonomia multilingue dei campi scientifici, attraverso un processo semi-automatico basato su tecniche NLP. Cfr.: Il Vocabolario Scientifico Europeo.
CORDIS classifica i progetti con EuroSciVoc, una tassonomia multilingue dei campi scientifici, attraverso un processo semi-automatico basato su tecniche NLP. Cfr.: Il Vocabolario Scientifico Europeo.
- scienze naturali scienze chimiche chimica inorganica metalli di post-transizione
- scienze naturali scienze fisiche ottica
- scienze naturali scienze fisiche elettromagnetismo ed elettronica semiconduttività
- scienze naturali matematica matematica pura geometria
- scienze naturali scienze chimiche chimica inorganica metalloidi
È necessario effettuare l’accesso o registrarsi per utilizzare questa funzione
Programma(i)
Programmi di finanziamento pluriennali che definiscono le priorità dell’UE in materia di ricerca e innovazione.
Programmi di finanziamento pluriennali che definiscono le priorità dell’UE in materia di ricerca e innovazione.
Argomento(i)
Gli inviti a presentare proposte sono suddivisi per argomenti. Un argomento definisce un’area o un tema specifico per il quale i candidati possono presentare proposte. La descrizione di un argomento comprende il suo ambito specifico e l’impatto previsto del progetto finanziato.
Dati non disponibili
Gli inviti a presentare proposte sono suddivisi per argomenti. Un argomento definisce un’area o un tema specifico per il quale i candidati possono presentare proposte. La descrizione di un argomento comprende il suo ambito specifico e l’impatto previsto del progetto finanziato.
Invito a presentare proposte
Procedura per invitare i candidati a presentare proposte di progetti, con l’obiettivo di ricevere finanziamenti dall’UE.
Dati non disponibili
Procedura per invitare i candidati a presentare proposte di progetti, con l’obiettivo di ricevere finanziamenti dall’UE.
Meccanismo di finanziamento
Meccanismo di finanziamento (o «Tipo di azione») all’interno di un programma con caratteristiche comuni. Specifica: l’ambito di ciò che viene finanziato; il tasso di rimborso; i criteri di valutazione specifici per qualificarsi per il finanziamento; l’uso di forme semplificate di costi come gli importi forfettari.
Meccanismo di finanziamento (o «Tipo di azione») all’interno di un programma con caratteristiche comuni. Specifica: l’ambito di ciò che viene finanziato; il tasso di rimborso; i criteri di valutazione specifici per qualificarsi per il finanziamento; l’uso di forme semplificate di costi come gli importi forfettari.
Dati non disponibili
Coordinatore
G12 8LT GLASGOW
Regno Unito
I costi totali sostenuti dall’organizzazione per partecipare al progetto, compresi i costi diretti e indiretti. Questo importo è un sottoinsieme del bilancio complessivo del progetto.