Objectif
The GIANTS project aimed to examine the high-speed performance of a number of GaInAs novel transistors. State-of-the-art circuits for IT systems were to be produced using those devices exhibiting the greatest performance potential and suitability for integration. GaInAs-based material structures were investigated because of their considerably superior transport properties compared to conventional GaAs structures (eg higher electron mobility and higher electron saturation velocity). These advantages are expected to lead to a new generation of high-speed devices and circuits.
The device types initially chosen for investigation were pseudomorphic high electron mobility transistors (HEMT), lattice matched HEMTs, barrier enhanced metal semiconductor field effect transistors (MESFET), and pseudomorphic semiconductor insulator semiconductor field effect transistors (SISFET). Both metal organic chemical vapour deposition (MOCVD) and molecular beam epitaxy (MBE) epitaxial growth techniques are being used to produce high quality material for device fabrication. These growth processes are being optimised in the light of device results.
The best of these devices have now been selected for the initial development of integrated circuit technologies, which will be demonstrated by the design and fabrication of example integrated circuits (IC).
The project aimed to examine the high speed performance of a number of gallium indium arsenic novel transistors. State of the art circuits for information technology (IT) systems were to be produced using those devices exhibiting the greatest performance potential and suitability for integration.
The device types chosen for investigations were:
pseudomorphic high electron mobility transistors (HEMT) (gallium indium arsenic channels grown strained on gallium arsenic substrates);
lattice matched HEMTs (aluminium indium arsenic barriers and gallium indium arsenic channels grown lattice matched on indium phosphorus substrates);
gallium indium arsenic junction field effect transistors (JFET);
pseudomorphic gallium indium arsenic channel semiconductor insulator semiconductor field effect transistors (SISFET) on gallium arsenic or indium phosphorous substrates;
barrier enhanced field effect transisitors (FET) and gallium indium arsenic.
Examples of novel gallium indium arsenic transistors have been produced with microwave performances approaching world records. These devices were compared at a later stage for their use in the project's final demonstrators:
a broadband 30 GHz amplifier;
a 1 to 2 GHz pulse regenerator circuit;
a 30 GHz divider;
inverter and ring oscillator circuits.
The project was completed successfully with all the demonstrators established. These could later form the basis of the building blocks for specific information technology (IT) subsystems.
The device types chosen for investigation were:
- pseudomorphic HEMTs: GaInAs channels grown strained on GaAs substrates
- lattice-matched HEMTs: AlInAs barriers and GaInAs channels grown lattice-matched on InP substrates
- GaInAs junction FETs (JFETs)
- pseudomorphic GaInAs channel SISFETs on GaAs or InP substrates
- barrier-enhanced FETs and GaInAs.
Champ scientifique (EuroSciVoc)
CORDIS classe les projets avec EuroSciVoc, une taxonomie multilingue des domaines scientifiques, grâce à un processus semi-automatique basé sur des techniques TLN. Voir: Le vocabulaire scientifique européen.
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- sciences naturelles sciences chimiques chimie inorganique métal pauvre
- sciences naturelles sciences physiques électromagnétisme et électronique dispositif à semiconducteur
- sciences naturelles sciences chimiques chimie inorganique métalloïde
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Programme(s)
Programmes de financement pluriannuels qui définissent les priorités de l’UE en matière de recherche et d’innovation.
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Thème(s)
Les appels à propositions sont divisés en thèmes. Un thème définit un sujet ou un domaine spécifique dans le cadre duquel les candidats peuvent soumettre des propositions. La description d’un thème comprend sa portée spécifique et l’impact attendu du projet financé.
Données non disponibles
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Appel à propositions
Procédure par laquelle les candidats sont invités à soumettre des propositions de projet en vue de bénéficier d’un financement de l’UE.
Données non disponibles
Procédure par laquelle les candidats sont invités à soumettre des propositions de projet en vue de bénéficier d’un financement de l’UE.
Régime de financement
Régime de financement (ou «type d’action») à l’intérieur d’un programme présentant des caractéristiques communes. Le régime de financement précise le champ d’application de ce qui est financé, le taux de remboursement, les critères d’évaluation spécifiques pour bénéficier du financement et les formes simplifiées de couverture des coûts, telles que les montants forfaitaires.
Régime de financement (ou «type d’action») à l’intérieur d’un programme présentant des caractéristiques communes. Le régime de financement précise le champ d’application de ce qui est financé, le taux de remboursement, les critères d’évaluation spécifiques pour bénéficier du financement et les formes simplifiées de couverture des coûts, telles que les montants forfaitaires.
Données non disponibles
Coordinateur
NN12 8EQ Towcester
Royaume-Uni
Les coûts totaux encourus par l’organisation concernée pour participer au projet, y compris les coûts directs et indirects. Ce montant est un sous-ensemble du budget global du projet.