Obiettivo
The GIANTS project aimed to examine the high-speed performance of a number of GaInAs novel transistors. State-of-the-art circuits for IT systems were to be produced using those devices exhibiting the greatest performance potential and suitability for integration. GaInAs-based material structures were investigated because of their considerably superior transport properties compared to conventional GaAs structures (eg higher electron mobility and higher electron saturation velocity). These advantages are expected to lead to a new generation of high-speed devices and circuits.
The device types initially chosen for investigation were pseudomorphic high electron mobility transistors (HEMT), lattice matched HEMTs, barrier enhanced metal semiconductor field effect transistors (MESFET), and pseudomorphic semiconductor insulator semiconductor field effect transistors (SISFET). Both metal organic chemical vapour deposition (MOCVD) and molecular beam epitaxy (MBE) epitaxial growth techniques are being used to produce high quality material for device fabrication. These growth processes are being optimised in the light of device results.
The best of these devices have now been selected for the initial development of integrated circuit technologies, which will be demonstrated by the design and fabrication of example integrated circuits (IC).
The project aimed to examine the high speed performance of a number of gallium indium arsenic novel transistors. State of the art circuits for information technology (IT) systems were to be produced using those devices exhibiting the greatest performance potential and suitability for integration.
The device types chosen for investigations were:
pseudomorphic high electron mobility transistors (HEMT) (gallium indium arsenic channels grown strained on gallium arsenic substrates);
lattice matched HEMTs (aluminium indium arsenic barriers and gallium indium arsenic channels grown lattice matched on indium phosphorus substrates);
gallium indium arsenic junction field effect transistors (JFET);
pseudomorphic gallium indium arsenic channel semiconductor insulator semiconductor field effect transistors (SISFET) on gallium arsenic or indium phosphorous substrates;
barrier enhanced field effect transisitors (FET) and gallium indium arsenic.
Examples of novel gallium indium arsenic transistors have been produced with microwave performances approaching world records. These devices were compared at a later stage for their use in the project's final demonstrators:
a broadband 30 GHz amplifier;
a 1 to 2 GHz pulse regenerator circuit;
a 30 GHz divider;
inverter and ring oscillator circuits.
The project was completed successfully with all the demonstrators established. These could later form the basis of the building blocks for specific information technology (IT) subsystems.
The device types chosen for investigation were:
- pseudomorphic HEMTs: GaInAs channels grown strained on GaAs substrates
- lattice-matched HEMTs: AlInAs barriers and GaInAs channels grown lattice-matched on InP substrates
- GaInAs junction FETs (JFETs)
- pseudomorphic GaInAs channel SISFETs on GaAs or InP substrates
- barrier-enhanced FETs and GaInAs.
Campo scientifico (EuroSciVoc)
CORDIS classifica i progetti con EuroSciVoc, una tassonomia multilingue dei campi scientifici, attraverso un processo semi-automatico basato su tecniche NLP. Cfr.: Il Vocabolario Scientifico Europeo.
CORDIS classifica i progetti con EuroSciVoc, una tassonomia multilingue dei campi scientifici, attraverso un processo semi-automatico basato su tecniche NLP. Cfr.: Il Vocabolario Scientifico Europeo.
- scienze naturali scienze chimiche chimica inorganica metalli di post-transizione
- scienze naturali scienze fisiche elettromagnetismo ed elettronica semiconduttività
- scienze naturali scienze chimiche chimica inorganica metalloidi
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Programma(i)
Programmi di finanziamento pluriennali che definiscono le priorità dell’UE in materia di ricerca e innovazione.
Programmi di finanziamento pluriennali che definiscono le priorità dell’UE in materia di ricerca e innovazione.
Argomento(i)
Gli inviti a presentare proposte sono suddivisi per argomenti. Un argomento definisce un’area o un tema specifico per il quale i candidati possono presentare proposte. La descrizione di un argomento comprende il suo ambito specifico e l’impatto previsto del progetto finanziato.
Dati non disponibili
Gli inviti a presentare proposte sono suddivisi per argomenti. Un argomento definisce un’area o un tema specifico per il quale i candidati possono presentare proposte. La descrizione di un argomento comprende il suo ambito specifico e l’impatto previsto del progetto finanziato.
Invito a presentare proposte
Procedura per invitare i candidati a presentare proposte di progetti, con l’obiettivo di ricevere finanziamenti dall’UE.
Dati non disponibili
Procedura per invitare i candidati a presentare proposte di progetti, con l’obiettivo di ricevere finanziamenti dall’UE.
Meccanismo di finanziamento
Meccanismo di finanziamento (o «Tipo di azione») all’interno di un programma con caratteristiche comuni. Specifica: l’ambito di ciò che viene finanziato; il tasso di rimborso; i criteri di valutazione specifici per qualificarsi per il finanziamento; l’uso di forme semplificate di costi come gli importi forfettari.
Meccanismo di finanziamento (o «Tipo di azione») all’interno di un programma con caratteristiche comuni. Specifica: l’ambito di ciò che viene finanziato; il tasso di rimborso; i criteri di valutazione specifici per qualificarsi per il finanziamento; l’uso di forme semplificate di costi come gli importi forfettari.
Dati non disponibili
Coordinatore
NN12 8EQ Towcester
Regno Unito
I costi totali sostenuti dall’organizzazione per partecipare al progetto, compresi i costi diretti e indiretti. Questo importo è un sottoinsieme del bilancio complessivo del progetto.