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AlGaN and InAlN based microwave components

Publicaciones

Reliability of GaN High-Electron-Mobility Transistors: State of the Art and Perspectives

Autores: Meneghesso, G.; Giovanni Verzellesi; Danesin, F.; Rampazzo, F.; Zanon, F.; Tazzoli, A.; Meneghini, M.; Zanoni, E.
Identificador permanente: Digital Object Identifier:10.1109/tdmr.2008.923743

Comparison of the performances of an InAlN/GaN HEMT with a Mo/Au gate or a Ni/Pt/Au gate

Autores: Fabiana Rampazzo; Enrico Zanoni; Christian Dua; Sylvain Delage; M. Oualli; Gaudenzio Meneghesso; Matteo Meneghini; Isabella Rossetto; Riccardo Silvestri; Alberto Zanandrea
Publicado en: Elsevier BV Microelectronics Reliability 2013
Identificador permanente: Digital Object Identifier:10.1016/j.microrel.2013.07.048

Measurement of thermal impedance of GaN HEMTs using 3ω method

Autores: Raymond Quéré; Jean-Pierre Teyssier; G. Callet; Raphaël Sommet; M. Avcu; A. El-Rafei
Publicado en: HAL CCSD Electronics Letters 2012
Identificador permanente: Digital Object Identifier:10.1049/el.2012.0979