Objectif
The large-scale assembly of nanowires (NWs) with controlled orientation on surfaces remains one challenge toward their integration into practical devices. A recent paper in Science from the PI’s group reported the guided growth of millimeter-long horizontal NWs with controlled orientations on crystal surfaces. The growth directions and crystallographic orientation of GaN NWs are controlled by their epitaxial relationship with different planes of sapphire, as well as by a graphoepitaxial effect that guides their growth along surface steps and grooves. Despite their interaction with the surface, these horizontally grown NWs have surprisingly few defects, exhibiting optical and electronic properties superior to those of vertically grown NWs. We observed that whereas in a 2D film stress accumulates in two directions, in a NW stress accumulates along its axis, but can relax in the transversal direction, making the 1D system much more tolerant to mismatch than a 2D film. This new 1D nanoscale effect, along with the graphoepitaxial effect, subverts the paradigm not only in the young field of NWs, but also in the established field of epitaxy. This paves the way to highly controlled semiconductor structures with potential applications not available by other means.
The aim of this project is to investigate the guided growth of NWs and unleash its vast possibilities toward the realization of self-integrating nanosystems.
First, we will generalize the guided growth of NWs to a variety of semiconductors and substrates, and produce ordered arrays of NWs with coherently modulated composition and doping.
Second, we will conduct fundamental studies to investigate the correlated structure, growth mechanism, optical and electronic properties of guided NWs.
Third, we will exploit the guided growth of NWs for the production of various functional self-integrating systems, including nanocircuits, LEDs, lasers, photovoltaic cells, photodetectors, photonic and nonlinear optical devices.
Champ scientifique (EuroSciVoc)
CORDIS classe les projets avec EuroSciVoc, une taxonomie multilingue des domaines scientifiques, grâce à un processus semi-automatique basé sur des techniques TLN. Voir: https://op.europa.eu/fr/web/eu-vocabularies/euroscivoc.
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- ingénierie et technologie génie électrique, génie électronique, génie de l’information ingénierie électronique capteurs capteurs optiques
- sciences naturelles sciences physiques électromagnétisme et électronique dispositif à semiconducteur
- sciences naturelles sciences physiques optique physique des lasers
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Programme(s)
Programmes de financement pluriannuels qui définissent les priorités de l’UE en matière de recherche et d’innovation.
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Thème(s)
Les appels à propositions sont divisés en thèmes. Un thème définit un sujet ou un domaine spécifique dans le cadre duquel les candidats peuvent soumettre des propositions. La description d’un thème comprend sa portée spécifique et l’impact attendu du projet financé.
Les appels à propositions sont divisés en thèmes. Un thème définit un sujet ou un domaine spécifique dans le cadre duquel les candidats peuvent soumettre des propositions. La description d’un thème comprend sa portée spécifique et l’impact attendu du projet financé.
Appel à propositions
Procédure par laquelle les candidats sont invités à soumettre des propositions de projet en vue de bénéficier d’un financement de l’UE.
Procédure par laquelle les candidats sont invités à soumettre des propositions de projet en vue de bénéficier d’un financement de l’UE.
ERC-2013-ADG
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Régime de financement
Régime de financement (ou «type d’action») à l’intérieur d’un programme présentant des caractéristiques communes. Le régime de financement précise le champ d’application de ce qui est financé, le taux de remboursement, les critères d’évaluation spécifiques pour bénéficier du financement et les formes simplifiées de couverture des coûts, telles que les montants forfaitaires.
Régime de financement (ou «type d’action») à l’intérieur d’un programme présentant des caractéristiques communes. Le régime de financement précise le champ d’application de ce qui est financé, le taux de remboursement, les critères d’évaluation spécifiques pour bénéficier du financement et les formes simplifiées de couverture des coûts, telles que les montants forfaitaires.
Institution d’accueil
7610001 Rehovot
Israël
Les coûts totaux encourus par l’organisation concernée pour participer au projet, y compris les coûts directs et indirects. Ce montant est un sous-ensemble du budget global du projet.