Ziel
Emerging process technologies for fabricating sub-micron and nanoscale semiconductor devices and novel multilayer materials all require extremely precise control of growth at surfaces. In situ, non-destructive, real-time monitoring and characterisation of surfaces under growth conditions are needed for further progress in this area, with atomic scale resolution. The main aim of this project is to demonstrate the use of new epioptic techniques for in situ growth monitoring and non-destructive characterisation, for MOVPE, MBE and MOMBE growth in dedicated III-V reactors.
New techniques for determining the properties of materials used in information technology devices are being developed. Light is used as both probe and signal (epioptics), with extremely high spatial resolution. In contrast to existing techniques, epioptics can be used in situ, while growing crystalline material, in all environments.
So far 3 major results have been obtained. Growth of III-V epitaxial layers in an atmospheric pressure metal organic vapour phase epitaxy (MOVPE) reactor has been monitored in real time, with submonolayer resolution, using reflection anisotropy spectroscopy (RAS). The number of single atomic layers grown is simply determined by counting the number of oscillations in the RAS signal.
Growth of II-VI epitaxial layers has been monitored, in situ and in real time, using Raman spectroscopy, with submonolayer resolution and evidence of chemical reactivity at the II-VI, III-V interface has been obtained.
A combination of linear optical theory and experiment has resolved a long standing controversy on the nature of the dimer structure on the surface of silicon(001).
APPROACH AND METHODS
EPIOPTIC (3177) showed that new optical techniques have great potential in the area of emerging process technologies: monolayer sensitivity, in situ monitoring of semiconductor growth and complimentary information from different epioptic techniques have been demonstrated on model systems.
In EASI new epioptic techniques for in situ growth monitoring and non-destructive characterisation for MOVPE, MBE and MOMBE III-V growth reactors. In addition, a preliminary assessment of epioptic probes for ultra-clean silicon processing diagnostics will be made. An improved understanding of the origins of the epioptic response from surfaces and interfaces will be sought by studying examples of silicide, III-V and II-VI interfaces in detail, with strong theoretical and conventional surface diagnostics back-up. Six main epioptic techniques will be used: reflectance anisotropy and reflectance difference spectroscopies, spectroscopic ellipsometry, optical second harmonic generation, Raman scattering and photoreflectance. An interdisciplinary team has been assembled to produce a vertically integrated structure: theoretical and experimental physicists, materials scientists, crystal growers and materials analysts.
POTENTIAL
EASI has already demonstrated the feasibility of using optical probes to monitor growth of thin-film IT materials with submonolayer resolution in situ and under all growth conditions. Implementing these new characterisation techniques should result in improved materials and higher yields for the fabrication of future IT semiconductor devices.
Wissenschaftliches Gebiet (EuroSciVoc)
CORDIS klassifiziert Projekte mit EuroSciVoc, einer mehrsprachigen Taxonomie der Wissenschaftsbereiche, durch einen halbautomatischen Prozess, der auf Verfahren der Verarbeitung natürlicher Sprache beruht. Siehe: Das European Science Vocabulary.
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- Technik und Technologie Werkstofftechnik Kristalle
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Programm/Programme
Mehrjährige Finanzierungsprogramme, in denen die Prioritäten der EU für Forschung und Innovation festgelegt sind.
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Thema/Themen
Aufforderungen zur Einreichung von Vorschlägen sind nach Themen gegliedert. Ein Thema definiert einen bestimmten Bereich oder ein Gebiet, zu dem Vorschläge eingereicht werden können. Die Beschreibung eines Themas umfasst seinen spezifischen Umfang und die erwarteten Auswirkungen des finanzierten Projekts.
Daten nicht verfügbar
Aufforderungen zur Einreichung von Vorschlägen sind nach Themen gegliedert. Ein Thema definiert einen bestimmten Bereich oder ein Gebiet, zu dem Vorschläge eingereicht werden können. Die Beschreibung eines Themas umfasst seinen spezifischen Umfang und die erwarteten Auswirkungen des finanzierten Projekts.
Aufforderung zur Vorschlagseinreichung
Verfahren zur Aufforderung zur Einreichung von Projektvorschlägen mit dem Ziel, eine EU-Finanzierung zu erhalten.
Daten nicht verfügbar
Verfahren zur Aufforderung zur Einreichung von Projektvorschlägen mit dem Ziel, eine EU-Finanzierung zu erhalten.
Finanzierungsplan
Finanzierungsregelung (oder „Art der Maßnahme“) innerhalb eines Programms mit gemeinsamen Merkmalen. Sieht folgendes vor: den Umfang der finanzierten Maßnahmen, den Erstattungssatz, spezifische Bewertungskriterien für die Finanzierung und die Verwendung vereinfachter Kostenformen wie Pauschalbeträge.
Finanzierungsregelung (oder „Art der Maßnahme“) innerhalb eines Programms mit gemeinsamen Merkmalen. Sieht folgendes vor: den Umfang der finanzierten Maßnahmen, den Erstattungssatz, spezifische Bewertungskriterien für die Finanzierung und die Verwendung vereinfachter Kostenformen wie Pauschalbeträge.
Daten nicht verfügbar
Koordinator
DUBLIN 2
Irland
Die Gesamtkosten, die dieser Organisation durch die Beteiligung am Projekt entstanden sind, einschließlich der direkten und indirekten Kosten. Dieser Betrag ist Teil des Gesamtbudgets des Projekts.