Objectif
Computer clock speeds have not increased since 2003, creating a challenge to invent a successor to CMOS technology able to resume performance improvement. The key requirements for a viable alternative are scalability to nanoscale dimensions – following Moore’s Law – and simultaneous reduction of line voltage in order to limit switching power. Achieving these two aims for both transistors and memory allows clock speed to again increase with dimensional scaling, a result that would have great impact across the IT industry.
We propose to demonstrate an entirely new low-voltage, memory element that makes use of internal transduction in which a voltage state external to the device is converted to an internal acoustic signal that drives an insulator-metal transition. Modelling based on the properties of known materials at device dimensions on the 15 nm scale predicts that this mechanism enables device operation at voltages an order of magnitude lower than CMOS technology while achieving 10GHz operating speed; power is thus reduced two orders.
Champ scientifique
- natural sciencescomputer and information sciencesinternet
- engineering and technologyelectrical engineering, electronic engineering, information engineeringelectronic engineeringsensors
- natural sciencesbiological sciencesecologyecosystems
- engineering and technologyelectrical engineering, electronic engineering, information engineeringelectrical engineeringpiezoelectrics
- social scienceslaw
Programme(s)
Régime de financement
RIA - Research and Innovation actionCoordinateur
NW1 3BT LONDON
Royaume-Uni
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L’entreprise s’est définie comme une PME (petite et moyenne entreprise) au moment de la signature de la convention de subvention.
Participants (12)
52068 Aachen
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TW11 0LW Middlesex
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Participation terminée
7034 Trondheim
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80539 Munchen
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9000 Gent
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8803 Rueschlikon
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7521 PE Enschede
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20360 TURKU
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Participation terminée
EH8 9YL Edinburgh
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GU9 9QT FARNHAM
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8600 Dubendorf
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7034 Trondheim
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