Long-range coupling of hole spins on a silicon chip

Informazioni relative al progetto

LONGSPIN

ID dell’accordo di sovvenzione: 759388

DOI 10.3030/759388

Progetto chiuso

Data della firma CE 27 Ottobre 2017

Data di avvio 1 Marzo 2018

Data di completamento 31 Dicembre 2023

Finanziato da

• EXCELLENT SCIENCE - European Research Council (ERC)

Costo totale € 1 998 423,00

Contributo UE € 1 998 423,00

Coordinato da

COMMISSARIAT A L ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
France

Pubblicazioni

Peer reviewed articles (7)

Dispersively Probed Microwave Spectroscopy of a Silicon Hole Double Quantum Dot

Autori: R. Ezzouch; Simon Zihlmann; Vincent P. Michal; Jing Li; A. Apra; Benoit Bertrand; Louis Hutin; Maud Vinet; Matias Urdampilleta; Tristan Meunier; Xavier Jehl; Yann-Michel Niquet; Marc Sanquer; Silvano De Franceschi; Romain Maurand
Pubblicato in: Physical Review Applied, Numero 1, 2021, ISSN 2331-7019
Editore: Md american Physical Society
DOI: 10.1103/physrevapplied.16.034031

Strong coupling between a photon and a hole spin in silicon

Autori: Cécile X. Yu; Simon Zihlmann; José C. Abadillo-Uriel; Vincent P. Michal; Nils Rambal; Heimanu Niebojewski; Thomas Bedecarrats; Maud Vinet; Étienne Dumur; Michele Filippone; Benoit Bertrand; Silvano De Franceschi; Yann-Michel Niquet; Romain Maurand
Pubblicato in: Nature Nanotechology, Numero 1, 2023, ISSN 1748-3395
Editore: Nature Pub. Group
DOI: 10.1038/s41565-023-01332-3

Electrical Spin Driving by g -Matrix Modulation in Spin-Orbit Qubits

Autori: Alessandro Crippa, Romain Maurand, Léo Bourdet, Dharmraj Kotekar-Patil, Anthony Amisse, Xavier Jehl, Marc Sanquer, Romain Laviéville, Heorhii Bohuslavskyi, Louis Hutin, Sylvain Barraud, Maud Vinet, Yann-Michel Niquet, Silvano De Franceschi
Pubblicato in: Physical Review Letters, Numero 120/13, 2018, ISSN 0031-9007
Editore: American Physical Society
DOI: 10.1103/physrevlett.120.137702

Gate-reflectometry dispersive readout and coherent control of a spin qubit in silicon

Autori: A. Crippa, R. Ezzouch, A. Aprá, A. Amisse, R. Laviéville, L. Hutin, B. Bertrand, M. Vinet, M. Urdampilleta, T. Meunier, M. Sanquer, X. Jehl, R. Maurand, S. De Franceschi
Pubblicato in: Nature Communications, Numero 10/1, 2019, ISSN 2041-1723
Editore: Nature Publishing Group
DOI: 10.1038/s41467-019-10848-z

Magnetic field resilient high kinetic inductance superconducting niobium nitride coplanar waveguide resonators

Autori: Cécile Xinqing Yu, Simon Zihlmann, Gonzalo Troncoso Fernández-Bada, Jean-Luc Thomassin, Frédéric Gustavo, Étienne Dumur, Romain Maurand
Pubblicato in: Applied Physics Letters, Numero 118/5, 2021, Pagina/e 054001, ISSN 0003-6951
Editore: American Institute of Physics
DOI: 10.1063/5.0039945

"Tunable hole spin-photon interaction based on <mml:math xmlns:mml=""http://www.w3.org/1998/Math/MathML""><mml:mi mathvariant=""monospace"">g</mml:mi></mml:math> -matrix modulation"

Autori: V. P. Michal; J. C. Abadillo-Uriel; S. Zihlmann; R. Maurand; Y.-M. Niquet; M. Filippone
Pubblicato in: Pysical review B, Numero 1, 2023, ISSN 2469-9950
Editore: American Physical Society
DOI: 10.1103/physrevb.107.l041303

A single hole spin with enhanced coherence in natural silicon

Autori: N. Piot; B. Brun; V. Schmitt; S. Zihlmann; V. P. Michal; A. Apra; J. C. Abadillo-Uriel; X. Jehl; B. Bertrand; H. Niebojewski; L. Hutin; M. Vinet; M. Urdampilleta; T. Meunier; Y.-M. Niquet; R. Maurand; S. De Franceschi
Pubblicato in: Nature Nanotechology, Numero 1, 2022, ISSN 1748-3395
Editore: Nature Pub. Group
DOI: 10.1038/s41565-022-01196-z