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Functional Electrical Contacts to Two-Dimensional Materials with Tunable Interfacial Oxides

Descrizione del progetto

Contatti elettrici ottimizzati potrebbero migliorare le interfacce dei materiali bidimensionali con il mondo tridimensionale

L’utilizzo dei materiali di Van der Waals bidimensionali allo scopo di realizzare i futuri dispositivi nanoelettronici è promettente. Ciononostante, le loro prestazioni sono spesso ostacolate dalla presenza di un grande numero di difetti all’interfaccia del materiale bidimensionale con il metallo. Finanziato dal programma di azioni Marie Skłodowska-Curie, il progetto ProTOC utilizzerà la deposizione di strati atomici per ingegnerizzare contatti elettrici funzionali in dispositivi nanoelettrici bidimensionali. Gli ossidi di titanio, di vanadio e dei metalli di transizione sviluppati tramite questa tecnica vengono esplorati come strati interfacciali legati da un lato al disolfuro di molibdeno bidimensionale e dall’altro all’elettrodo di metallo. La deposizione di strati atomici consente un controllo preciso della composizione degli ossidi, così da regolare le proprietà elettroniche quali lavoro d’estrazione, costante dielettrica e concentrazione di difetti.

Obiettivo

Two-dimensional (2D) van der Waals (vdW) materials are promising for future nanoelectronic devices. However, their performance is often hampered by the presence of a large number of defects at metal/2D material interfaces. The project ProTOC will extend the applications of atomic layer deposition (ALD) to engineer functional electrical contacts in 2D nanoelectronic devices using interfacial transition metal oxides (TMOs) of controlled stoichiometry and electronic properties. ALD-grown TMOs, vanadium and titanium oxides, are explored as interfacial layers that are vdW-bonded to 2D material MoS2 on one side and chemically bonded to the metal electrode one the other side. ALD allows for precise control of the oxide composition in order to tune electronic properties, such as work function, dielectric constant, and defect concentrations. The electronic properties of ultrathin ALD-oxides of different compositions and their complex interactions with 2D materials, which in turn affect transport, will be investigated in a combined effort using 2D field-effect transistor (FET) transport measurements, spectroscopic methods, and scanning probe microscopy techniques. The band alignment at the contacts can be adjusted by changing the composition of the ALD-grown layers, which may provide a new route to engineering desired contact behaviour over a broad range from rectifying or low resistance ohmic, depending on the end application. This contacting scheme will be exploited to achieve both p- and n-type conductance in MoS2 FETs, which is key for logic applications and difficult to achieve with 2D materials. This project will benefit from the complimentary knowledge and experience of researcher, who is an expert in device design, fabrication, and advanced scanning probe methods, as well as host, who provides unique capabilities and expertise in materials growth by ALD and the spectroscopic characterization of complex oxide films in the context of devices.

Campo scientifico (EuroSciVoc)

CORDIS classifica i progetti con EuroSciVoc, una tassonomia multilingue dei campi scientifici, attraverso un processo semi-automatico basato su tecniche NLP. Cfr.: Il Vocabolario Scientifico Europeo.

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Programma(i)

Programmi di finanziamento pluriennali che definiscono le priorità dell’UE in materia di ricerca e innovazione.

Argomento(i)

Gli inviti a presentare proposte sono suddivisi per argomenti. Un argomento definisce un’area o un tema specifico per il quale i candidati possono presentare proposte. La descrizione di un argomento comprende il suo ambito specifico e l’impatto previsto del progetto finanziato.

Meccanismo di finanziamento

Meccanismo di finanziamento (o «Tipo di azione») all’interno di un programma con caratteristiche comuni. Specifica: l’ambito di ciò che viene finanziato; il tasso di rimborso; i criteri di valutazione specifici per qualificarsi per il finanziamento; l’uso di forme semplificate di costi come gli importi forfettari.

MSCA-IF-EF-RI - RI – Reintegration panel

Vedi tutti i progetti finanziati nell’ambito di questo schema di finanziamento

Invito a presentare proposte

Procedura per invitare i candidati a presentare proposte di progetti, con l’obiettivo di ricevere finanziamenti dall’UE.

(si apre in una nuova finestra) H2020-MSCA-IF-2018

Vedi tutti i progetti finanziati nell’ambito del bando

Coordinatore

TECHNISCHE UNIVERSITAET MUENCHEN
Contributo netto dell'UE

Contributo finanziario netto dell’UE. La somma di denaro che il partecipante riceve, decurtata dal contributo dell’UE alla terza parte collegata. Tiene conto della distribuzione del contributo finanziario dell’UE tra i beneficiari diretti del progetto e altri tipi di partecipanti, come i partecipanti terzi.

€ 131 104,80
Indirizzo
Arcisstrasse 21
80333 Muenchen
Germania

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Regione
Bayern Oberbayern München, Kreisfreie Stadt
Tipo di attività
Higher or Secondary Education Establishments
Collegamenti
Costo totale

I costi totali sostenuti dall’organizzazione per partecipare al progetto, compresi i costi diretti e indiretti. Questo importo è un sottoinsieme del bilancio complessivo del progetto.

€ 131 104,80
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