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Solution-Based Engineering of Nanodimensional Phase-Change Materials and Memory Devices

Descripción del proyecto

Más memoria para satisfacer la demanda insaciable de datos

El rápido mundo de los datos actual requiere más memoria de almacenamiento. La demanda está creciendo exponencialmente como resultado del volumen de trabajo de la inteligencia artificial y los datos masivos. La memoria de cambio de fase (PCM, por sus siglas en inglés), inventada en los años sesenta del siglo pasado, es un tipo de memoria RAM de ordenador que almacena datos modificando el estado de la materia a partir de la cual está fabricado el dispositivo. El empleo de la tecnología PCM podría ofrecer almacenamiento incluso con un gran consumo de energía. El proyecto financiado con fondos europeos NanoMMs tiene una solución. Está desarrollando un enfoque sintético robusto para materiales de PCM en forma de nanopartículas coloidales y precursores de tinta molecular. Además, construirá nuevas configuraciones de PCM ultrapequeñas y células de PCM multicapa para reducir su precio y el consumo de energía.

Objetivo

Phase-change memory (PCM) is a recently-commercialized next-generation memory storage technology that provides a sustainable solution to exponentially-growing memory storage demands of modern society. It is based on resistively switched structural changes of memory cell upon local crystallization and melting phase transitions, resulting in amorphous or crystalline atomic structures with distinctly different “0” and “1” resistance states. PCM is faster and more durable than state-of-the-art non-volatile memory devices like silicon-based solid-state drives (SSD), and it can furthermore be scaled in all three dimensions. However, there are open challenges for PCM technology, such as large power consumption and high price of PCM devices, which stem from large dimensions of memory cells, complex fabrication process, and from use of material-inefficient sputtering and etching fabrication steps for the expensive PCM layer.
This proposal addresses the open challenges and enables further development of PCM technology by applying solution-based engineering. Our goals are (i) to develop robust synthetic approaches for PCM materials, such as ternary tellurides and antimony-rich compositions, in the form of colloidal nanoparticles and molecular ink precursors; (ii) to thoroughly study how PCM properties change at the nanoscale as a function of size, thickness, and composition; and (iii) to employ these phase-change nanomaterials in solution-processed PCM arrays to build new, ultrasmall PCM configurations as well as multilayer PCM cells and to reduce their price and power consumption.

Régimen de financiación

ERC-STG - Starting Grant

Institución de acogida

EIDGENOESSISCHE TECHNISCHE HOCHSCHULE ZUERICH
Aportación neta de la UEn
€ 1 604 600,00
Dirección
Raemistrasse 101
8092 Zuerich
Suiza

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Región
Schweiz/Suisse/Svizzera Zürich Zürich
Tipo de actividad
Higher or Secondary Education Establishments
Enlaces
Coste total
€ 1 604 600,00

Beneficiarios (1)