Description du projet
Un traitement novateur réduit le prix du successeur potentiel du silicium
Les semi-conducteurs sont les éléments constitutifs de l’électronique moderne. Pendant des décennies, le silicium en a été la pierre angulaire, mais il atteint ses limites théoriques d’amélioration. Le nitrure de gallium (GaN), couramment utilisé dans les diodes électroluminescentes, est en train de lui voler la vedette. Il présente une densité de puissance supérieure, peut conduire les électrons des centaines de fois plus efficacement que le silicium et est plus résistant à la température et plus fiable. Dans l’ensemble, le GaN peut faciliter la fabrication de dispositifs plus petits, plus rapides, plus fiables et plus efficaces, ce qui permet de réduire le volume et le coût du cycle de vie. Afin de rendre le GaN accessible aux applications courantes, le projet eleGaNt, financé par l’UE, s’attaquera à des obstacles majeurs: son coût en vrac et la dégradation de ses performances. Pour relever ces défis, l’équipe optimisera son processus de croissance de couches minces de GaN de qualité supérieure sur n’importe quel substrat.
Objectif
As the world becomes digitalized, the need for more energy efficient, faster and better performing Electronic Components and Systems (ECS) becomes paramount. These ECS are fully dependent on the semiconductor materials within, currently over 90% silicon (Si)-based. Pure Si technology can no longer cater to the needs placed upon ECS for power electronics and RF applications and thus new semiconductor technologies based on gallium nitride (GaN) are being explored. GaN material properties make it the primary choice for future generations of energy-efficient, high performance power electronics devices, necessary to modernize the energy grid and allow for sustainable energy production and use. However, bulk GaN is prohibitively expensive and thus inaccessible to mainstream applications. The main approach to making the technology commercially viable, reducing its cost significantly, is growing GaN layers on other materials, such as Si. Today, this poses a major technical barrier: existing methods result in high defect densities in the GaN layers, offering a fraction of the efficiency of bulk GaN and therefore poor ECS performance. Switching to GaN-on-Si today thus offers very limited advantages. To harness the full potential of GaN in a commercially viable way, we, at Hexagem, have developed EleGaNt, a cutting-edge new method of growing GaN semiconductor layers of unprecedented quality on any substrate. EleGaNt is the first to deliver capabilities on par with bulk GaN at the cost of current market-available underperforming GaN-on-Si. Our patented EleGaNt growth method introduces a new era of semiconductor wafer tech for an energy efficient power and RF electronics market and has the potential to become the new silicon in the multi-billion power electronics industry, whilst also offering a route towards expanding the TAM for GaN tech. We will license our tech to ECS manufacturers for integration into their fabs, whilst we remain a cutting-edge tech development company.
Champ scientifique (EuroSciVoc)
CORDIS classe les projets avec EuroSciVoc, une taxonomie multilingue des domaines scientifiques, grâce à un processus semi-automatique basé sur des techniques TLN. Voir: Le vocabulaire scientifique européen.
CORDIS classe les projets avec EuroSciVoc, une taxonomie multilingue des domaines scientifiques, grâce à un processus semi-automatique basé sur des techniques TLN. Voir: Le vocabulaire scientifique européen.
- ingénierie et technologie génie électrique, génie électronique, génie de l’information ingénierie de l’information télécommunication réseau de télécommunications réseau mobile 5G
- ingénierie et technologie génie de l'environnement énergie et combustibles énergie renouvelable
- sciences naturelles sciences chimiques chimie inorganique métal pauvre
- sciences naturelles sciences physiques électromagnétisme et électronique dispositif à semiconducteur
- sciences naturelles sciences chimiques chimie inorganique métalloïde
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Programme(s)
Programmes de financement pluriannuels qui définissent les priorités de l’UE en matière de recherche et d’innovation.
Programmes de financement pluriannuels qui définissent les priorités de l’UE en matière de recherche et d’innovation.
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H2020-EU.2.3. - INDUSTRIAL LEADERSHIP - Innovation In SMEs
PROGRAMME PRINCIPAL
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H2020-EU.3. - PRIORITY 'Societal challenges
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H2020-EU.2.1. - INDUSTRIAL LEADERSHIP - Leadership in enabling and industrial technologies
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Thème(s)
Les appels à propositions sont divisés en thèmes. Un thème définit un sujet ou un domaine spécifique dans le cadre duquel les candidats peuvent soumettre des propositions. La description d’un thème comprend sa portée spécifique et l’impact attendu du projet financé.
Les appels à propositions sont divisés en thèmes. Un thème définit un sujet ou un domaine spécifique dans le cadre duquel les candidats peuvent soumettre des propositions. La description d’un thème comprend sa portée spécifique et l’impact attendu du projet financé.
Régime de financement
Régime de financement (ou «type d’action») à l’intérieur d’un programme présentant des caractéristiques communes. Le régime de financement précise le champ d’application de ce qui est financé, le taux de remboursement, les critères d’évaluation spécifiques pour bénéficier du financement et les formes simplifiées de couverture des coûts, telles que les montants forfaitaires.
Régime de financement (ou «type d’action») à l’intérieur d’un programme présentant des caractéristiques communes. Le régime de financement précise le champ d’application de ce qui est financé, le taux de remboursement, les critères d’évaluation spécifiques pour bénéficier du financement et les formes simplifiées de couverture des coûts, telles que les montants forfaitaires.
SME-1 - SME instrument phase 1
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Appel à propositions
Procédure par laquelle les candidats sont invités à soumettre des propositions de projet en vue de bénéficier d’un financement de l’UE.
Procédure par laquelle les candidats sont invités à soumettre des propositions de projet en vue de bénéficier d’un financement de l’UE.
(s’ouvre dans une nouvelle fenêtre) H2020-EIC-SMEInst-2018-2020
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La contribution financière nette de l’UE est la somme d’argent que le participant reçoit, déduite de la contribution de l’UE versée à son tiers lié. Elle prend en compte la répartition de la contribution financière de l’UE entre les bénéficiaires directs du projet et d’autres types de participants, tels que les participants tiers.
223 63 LUND
Suède
L’entreprise s’est définie comme une PME (petite et moyenne entreprise) au moment de la signature de la convention de subvention.
Les coûts totaux encourus par l’organisation concernée pour participer au projet, y compris les coûts directs et indirects. Ce montant est un sous-ensemble du budget global du projet.