Opis projektu
Nowatorska metoda przetwarzania obniża cenę potencjalnego następcy krzemu
Nowoczesne układy elektroniczne składają się z elementów półprzewodnikowych. Przez dziesięciolecia były one oparte na krzemie, jednak zbliża się chwila, w której półprzewodniki krzemowe osiągną teoretyczne granice możliwości dalszego udoskonalania. Jako następcę krzemu coraz częściej wskazuje się azotek galu (GaN), powszechnie stosowany w diodach LED. Ma on większą gęstość mocy, może przewodzić elektrony setki razy wydajniej niż krzem, a także jest bardziej odporny na temperaturę i niezawodny. W efekcie GaN może pozwolić na tworzenie mniejszych, szybszych, bardziej niezawodnych i bardziej wydajnych urządzeń, umożliwiając tym samym redukcję kosztów produkcji i cyklu życia. Aby umożliwić powszechne stosowanie GaN, zespół finansowanego przez UE projektu eleGaNt zajmie się wyeliminowaniem pewnych istotnych przeszkód związanych z kosztami produkcji większych elementów oraz słabszą wydajnością innych. Aby przezwyciężyć te wyzwania, zespół zoptymalizuje zaproponowany proces hodowania kryształów tak, by uzyskiwać wzrost najwyższej jakości cienkich warstw GaN na dowolnym podłożu.
Cel
As the world becomes digitalized, the need for more energy efficient, faster and better performing Electronic Components and Systems (ECS) becomes paramount. These ECS are fully dependent on the semiconductor materials within, currently over 90% silicon (Si)-based. Pure Si technology can no longer cater to the needs placed upon ECS for power electronics and RF applications and thus new semiconductor technologies based on gallium nitride (GaN) are being explored. GaN material properties make it the primary choice for future generations of energy-efficient, high performance power electronics devices, necessary to modernize the energy grid and allow for sustainable energy production and use. However, bulk GaN is prohibitively expensive and thus inaccessible to mainstream applications. The main approach to making the technology commercially viable, reducing its cost significantly, is growing GaN layers on other materials, such as Si. Today, this poses a major technical barrier: existing methods result in high defect densities in the GaN layers, offering a fraction of the efficiency of bulk GaN and therefore poor ECS performance. Switching to GaN-on-Si today thus offers very limited advantages. To harness the full potential of GaN in a commercially viable way, we, at Hexagem, have developed EleGaNt, a cutting-edge new method of growing GaN semiconductor layers of unprecedented quality on any substrate. EleGaNt is the first to deliver capabilities on par with bulk GaN at the cost of current market-available underperforming GaN-on-Si. Our patented EleGaNt growth method introduces a new era of semiconductor wafer tech for an energy efficient power and RF electronics market and has the potential to become the new silicon in the multi-billion power electronics industry, whilst also offering a route towards expanding the TAM for GaN tech. We will license our tech to ECS manufacturers for integration into their fabs, whilst we remain a cutting-edge tech development company.
Dziedzina nauki
- engineering and technologyelectrical engineering, electronic engineering, information engineeringinformation engineeringtelecommunicationstelecommunications networksmobile network5G
- engineering and technologyenvironmental engineeringenergy and fuelsrenewable energy
- natural scienceschemical sciencesinorganic chemistrypost-transition metals
- natural sciencesphysical scienceselectromagnetism and electronicssemiconductivity
- natural scienceschemical sciencesinorganic chemistrymetalloids
Program(-y)
Temat(-y)
Zaproszenie do składania wniosków
Zobacz inne projekty w ramach tego zaproszeniaSzczegółowe działanie
H2020-SMEInst-2018-2020-1
System finansowania
SME-1 - SME instrument phase 1Koordynator
223 63 Lund
Szwecja
Organizacja określiła się jako MŚP (firma z sektora małych i średnich przedsiębiorstw) w czasie podpisania umowy o grant.