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Tunable Hubbard Lattices in Semiconductor Nanowire Networks

Description du projet

Des réseaux de semi-conducteurs nanométriques pour la simulation quantique des électrons en interaction

La physique des corps solides, également appelée physique de la matière condensée, est un vaste domaine qui vise à comprendre comment les matériaux solides se comportent. Le modèle Hubbard est le modèle le plus simple pour représenter les particules en interaction dans un réseau. Il est largement utilisé en physique de la matière condensée pour décrire la transition entre les états conducteur et isolant. Il est toutefois compliqué de l’appliquer aux états fortement corrélés des électrons dans la matière condensée. Il a été jusqu’ici impossible de mettre en œuvre expérimentalement le modèle Hubbard dans des conditions susceptibles d’être associées à l’émergence de supraconducteurs à haute température critique (d’un intérêt considérable en termes d’applications). Le projet TURNSTONE, financé par l’UE, prévoit de procéder à la démonstration d’une implémentation de ce type permettant de contrôler simultanément d’importantes propriétés et caractéristiques.

Objectif

One of the most important outstanding questions in physics is arguably the understanding of correlated electrons in condensed matter. The theoretical framework is given by the Hubbard model, however, no analytical solutions have been found and numerical treatments are challenging and controversial. Although great progress has been made in experimental implementations of the Hubbard model in cold atom lattices and ion traps, the most interesting regime of low temperature and strong interactions, presumably accounting for the physics of High-Tc superconductors, is yet to be realized. In this project a new experimental platform is proposed for realizing tunable lattices of coupled quantum dots (QDs) by combining Molecular Beam Epitaxy crystal growth of semiconductor nanostructures, state-of-the-art semiconductor processing, and low-temperatures quantum transport. Macroscopic networks of ultra-high quality InAs nanowires will be combined with epitaxial integration of dielectric layers and gate metals. The gates thereby retain the ultimate limit of uniformity; overcoming previous problems with QD arrays. Conservative estimates of the on-site Coulomb interaction ~100-200Kelvin and with fully gate-tunable tunnel couplings, the strongly interacting, low-T regime is easily reachable. Both square and honeycomb lattices will be realized and the macroscopic properties will studied by transport and quantum capacitance spectroscopy at mK temperatures, and in addition, the currents will be locally probed by scanning SQUID microscopy. Furthermore, by a new concept for gating, we achieve tunable spatial modulation of tunnel couplings, and thereby enable in situ tunable gauge fields, tunable disorder, and controlled symmetry breaking. A proof-of-concept experiment is discussed. If successful, the results will have major impact on physics, technology and material science by providing a tunable model of the foundation of solid state physics.

Régime de financement

ERC-COG - Consolidator Grant

Institution d’accueil

DANMARKS TEKNISKE UNIVERSITET
Contribution nette de l'UE
€ 1 874 669,00
Adresse
ANKER ENGELUNDS VEJ 101
2800 Kongens Lyngby
Danemark

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Région
Danmark Hovedstaden Københavns omegn
Type d’activité
Higher or Secondary Education Establishments
Liens
Coût total
€ 1 874 669,00

Bénéficiaires (2)