Description du projet
Le nitrure de gallium – le nouveau «silicium»
Les composants et systèmes électroniques (ECS) sont essentiels pour le paysage industriel européen. Ils servent de base à l’innovation en matière de produits et de productivité dans l’ensemble de l’économie et jouent un rôle crucial dans la réponse aux défis sociétaux. À l’heure actuelle, les ECS sont entièrement dépendants des matériaux semi-conducteurs, dont plus de 90 % sont à base de silicium. Afin de moderniser le réseau énergétique et de permettre une production d’énergie durable, de nouvelles technologies de semi-conducteurs à base de nitrure de gallium (GaN) sont à l’étude. Le projet eleGaNt, financé par l’UE, mettra au point une nouvelle méthode brevetée de formation par tirage de couches semi-conductrices GaN d’une qualité sans précédent sur tout substrat. Cette méthode inaugure le lancement d’une nouvelle ère, avec une technologie de plaquettes semi-conductrices qui pourrait potentiellement remplacer le silicium dans l’industrie de l’électronique, qui se chiffre en milliards de dollars.
Objectif
As the world becomes digitalized, the need for more energy efficient, faster and better performing Electronic Components and Systems (ECS) becomes paramount. These ECS are fully dependent on the semiconductor materials within, currently over 90% silicon (Si)-based. Pure Si technology can no longer cater to the needs placed upon ECS for power electronics and RF applications and thus new semiconductor technologies based on gallium nitride (GaN) are being explored. GaN material properties make it the primary choice for future generations of energy-efficient, high performance power electronics devices, necessary to modernize the energy grid and allow for sustainable energy production and use. However, bulk GaN is prohibitively expensive and thus inaccessible to mainstream applications. The main approach to making the technology commercially viable, reducing its cost significantly, is growing GaN layers on other materials, such as Si. Today, this poses a major technical barrier: existing methods result in high defect densities in the GaN layers, offering a fraction of the efficiency of bulk GaN and therefore poor ECS performance. Switching to GaN-on-Si today thus offers very limited advantages. To harness the full potential of GaN in a commercially viable way, we, at Hexagem, have developed EleGaNt, a cutting-edge new method of growing GaN semiconductor layers of unprecedented quality on any substrate. EleGaNt is the first to deliver capabilities on par with bulk GaN at the cost of current market-available underperforming GaN-on-Si. Our patented EleGaNt growth method introduces a new era of semiconductor wafer tech for an energy efficient power and RF electronics market and has the potential to become the new silicon in the multi-billion power electronics industry, whilst also offering a route towards expanding the TAM for GaN tech. We will license our tech to ECS manufacturers for integration into their fabs, whilst we remain a cutting-edge tech development company.
Champ scientifique (EuroSciVoc)
CORDIS classe les projets avec EuroSciVoc, une taxonomie multilingue des domaines scientifiques, grâce à un processus semi-automatique basé sur des techniques TLN. Voir: https://op.europa.eu/en/web/eu-vocabularies/euroscivoc.
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- ingénierie et technologiegénie de l'environnementénergie et combustiblesénergie renouvelable
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Programme(s)
Appel à propositions
(s’ouvre dans une nouvelle fenêtre) H2020-EIC-SMEInst-2018-2020
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H2020-SMEInst-2018-2020-2
Régime de financement
SME-2 - SME instrument phase 2Coordinateur
223 63 Lund
Suède
L’entreprise s’est définie comme une PME (petite et moyenne entreprise) au moment de la signature de la convention de subvention.