Projektbeschreibung
Galliumnitrid – das neue „Silizium“
Elektronische Bauteile und -systeme sind für die Industrielandschaft Europas von entscheidender Bedeutung. Sie bilden die Grundlage für Produkt- und Produktivitätsinnovationen in der gesamten Wirtschaft und spielen eine zentrale Rolle, um gesellschaftliche Herausforderungen anzugehen. Derzeit sind elektronische Bauteile und -systeme vollständig von Halbleitermaterialien abhängig, von denen über 90 % auf Silizium basieren. Zur Modernisierung des Energienetzes und zur Gewährleistung der Erzeugung nachhaltiger Energie werden neue Halbleitertechnologien untersucht, die auf Galliumnitrid (GaN) basieren. Das EU-finanzierte Projekt eleGaNt wird eine neu patentierte Methode zur Herstellung von GaN-Halbleiterschichten mit nie dagewesener Qualität auf allen Substraten entwickeln. Diese Methode läutet eine neue Ära der Halbleiterwafer-Technologie ein, die in der mehrere Milliarden schweren Leistungselektronikindustrie Silizium ersetzen könnte.
Ziel
As the world becomes digitalized, the need for more energy efficient, faster and better performing Electronic Components and Systems (ECS) becomes paramount. These ECS are fully dependent on the semiconductor materials within, currently over 90% silicon (Si)-based. Pure Si technology can no longer cater to the needs placed upon ECS for power electronics and RF applications and thus new semiconductor technologies based on gallium nitride (GaN) are being explored. GaN material properties make it the primary choice for future generations of energy-efficient, high performance power electronics devices, necessary to modernize the energy grid and allow for sustainable energy production and use. However, bulk GaN is prohibitively expensive and thus inaccessible to mainstream applications. The main approach to making the technology commercially viable, reducing its cost significantly, is growing GaN layers on other materials, such as Si. Today, this poses a major technical barrier: existing methods result in high defect densities in the GaN layers, offering a fraction of the efficiency of bulk GaN and therefore poor ECS performance. Switching to GaN-on-Si today thus offers very limited advantages. To harness the full potential of GaN in a commercially viable way, we, at Hexagem, have developed EleGaNt, a cutting-edge new method of growing GaN semiconductor layers of unprecedented quality on any substrate. EleGaNt is the first to deliver capabilities on par with bulk GaN at the cost of current market-available underperforming GaN-on-Si. Our patented EleGaNt growth method introduces a new era of semiconductor wafer tech for an energy efficient power and RF electronics market and has the potential to become the new silicon in the multi-billion power electronics industry, whilst also offering a route towards expanding the TAM for GaN tech. We will license our tech to ECS manufacturers for integration into their fabs, whilst we remain a cutting-edge tech development company.
Wissenschaftliches Gebiet (EuroSciVoc)
CORDIS klassifiziert Projekte mit EuroSciVoc, einer mehrsprachigen Taxonomie der Wissenschaftsbereiche, durch einen halbautomatischen Prozess, der auf Verfahren der Verarbeitung natürlicher Sprache beruht. Siehe: Das European Science Vocabulary.
CORDIS klassifiziert Projekte mit EuroSciVoc, einer mehrsprachigen Taxonomie der Wissenschaftsbereiche, durch einen halbautomatischen Prozess, der auf Verfahren der Verarbeitung natürlicher Sprache beruht. Siehe: Das European Science Vocabulary.
- Technik und Technologie Umwelttechnik Energie und Kraftstoffe erneuerbare Energie
- Naturwissenschaften Chemiewissenschaften anorganische Chemie Nachübergangsmetalle
- Naturwissenschaften Naturwissenschaften Elektromagnetismus und Elektronik Halbleiterbauelement
- Naturwissenschaften Chemiewissenschaften anorganische Chemie Metalloide
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Programm/Programme
Mehrjährige Finanzierungsprogramme, in denen die Prioritäten der EU für Forschung und Innovation festgelegt sind.
Mehrjährige Finanzierungsprogramme, in denen die Prioritäten der EU für Forschung und Innovation festgelegt sind.
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H2020-EU.2.3. - INDUSTRIAL LEADERSHIP - Innovation In SMEs
HAUPTPROGRAMM
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H2020-EU.3. - PRIORITY 'Societal challenges
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H2020-EU.2.1. - INDUSTRIAL LEADERSHIP - Leadership in enabling and industrial technologies
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Thema/Themen
Aufforderungen zur Einreichung von Vorschlägen sind nach Themen gegliedert. Ein Thema definiert einen bestimmten Bereich oder ein Gebiet, zu dem Vorschläge eingereicht werden können. Die Beschreibung eines Themas umfasst seinen spezifischen Umfang und die erwarteten Auswirkungen des finanzierten Projekts.
Aufforderungen zur Einreichung von Vorschlägen sind nach Themen gegliedert. Ein Thema definiert einen bestimmten Bereich oder ein Gebiet, zu dem Vorschläge eingereicht werden können. Die Beschreibung eines Themas umfasst seinen spezifischen Umfang und die erwarteten Auswirkungen des finanzierten Projekts.
Finanzierungsplan
Finanzierungsregelung (oder „Art der Maßnahme“) innerhalb eines Programms mit gemeinsamen Merkmalen. Sieht folgendes vor: den Umfang der finanzierten Maßnahmen, den Erstattungssatz, spezifische Bewertungskriterien für die Finanzierung und die Verwendung vereinfachter Kostenformen wie Pauschalbeträge.
Finanzierungsregelung (oder „Art der Maßnahme“) innerhalb eines Programms mit gemeinsamen Merkmalen. Sieht folgendes vor: den Umfang der finanzierten Maßnahmen, den Erstattungssatz, spezifische Bewertungskriterien für die Finanzierung und die Verwendung vereinfachter Kostenformen wie Pauschalbeträge.
SME-2 - SME instrument phase 2
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Aufforderung zur Vorschlagseinreichung
Verfahren zur Aufforderung zur Einreichung von Projektvorschlägen mit dem Ziel, eine EU-Finanzierung zu erhalten.
Verfahren zur Aufforderung zur Einreichung von Projektvorschlägen mit dem Ziel, eine EU-Finanzierung zu erhalten.
(öffnet in neuem Fenster) H2020-EIC-SMEInst-2018-2020
Alle im Rahmen dieser Aufforderung zur Einreichung von Vorschlägen finanzierten Projekte anzeigenKoordinator
Finanzieller Nettobeitrag der EU. Der Geldbetrag, den der Beteiligte erhält, abzüglich des EU-Beitrags an mit ihm verbundene Dritte. Berücksichtigt die Aufteilung des EU-Finanzbeitrags zwischen den direkten Begünstigten des Projekts und anderen Arten von Beteiligten, wie z. B. Dritten.
223 63 LUND
Schweden
Die Organisation definierte sich zum Zeitpunkt der Unterzeichnung der Finanzhilfevereinbarung selbst als KMU (Kleine und mittlere Unternehmen).
Die Gesamtkosten, die dieser Organisation durch die Beteiligung am Projekt entstanden sind, einschließlich der direkten und indirekten Kosten. Dieser Betrag ist Teil des Gesamtbudgets des Projekts.