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CMOS compatible and ultra broadband on-chip SiC frequency comb

Description du projet

Le carbure de silicium permet d’obtenir un peigne de fréquences performant, écologique et biocompatible

Les lasers sont désormais omniprésents et, outre la lumière laser monochromatique, de nombreuses applications reposent sur la capacité à produire simultanément plusieurs couleurs de la lumière (à des fréquences distinctes). Les spectres de ces sources laser ressemblent à un peigne, d’où le terme «peigne de fréquences». Les contributions au développement de la spectroscopie de précision basée sur le laser, y compris la technique du peigne de fréquences optiques, ont été récompensées par le prix Nobel de physique en 2005. À l’horizon 2020, il est essentiel de réduire la masse et le coût des peignes de fréquences pour élargir ses champs d’application aux innovations actuelles. Les peignes de fréquences basés sur une puce, qui ne nécessitent que très peu d’espace et consomment très peu d’énergie, sont essentiels. Le projet SiComb, financé par l’UE, vise à faire pour la première fois la démonstration d’un peigne de fréquences sur puce compatible CMOS et à bande ultra large, construit à base de carbure de silicium durable et extrêmement performant.

Objectif

A CMOS compatible and ultra broadband on-chip Silicon Carbide frequency comb (SiComb) is going to be demonstrated for the first time by this project. It is achieved by an interdisciplinary collaboration effort of combing unique optical nonlinearity of SiC, growth of low optical loss SiC thin film and fabrication of high quality factor microresonators. As an enabling technology, the on-chip frequency comb is deemed to have far profound impact on diverse areas of science and engineering, including sensing, timekeeping, distance ranging, searching for exoplanets as well as optical communication. For example, the application of this frequency comb in optical communication as a WDM light source will be demonstrated in this project to show the energy saving and the data traffic handling beyond 100 Tb/s. Compared to frequency combs made from AlGaAs, Lithium Niobate etc, SiC has material sustainability advantages: environmentally friendly, biocompatibility, and extended device lifetime and efficiency, which opens new application potentials. In this ambitious 3-years project, SiComb consortium (7 partners from both academic and industrial sectors) with complementary strengths of SiC material growth, device nanofabrication, nonlinear optics and optical communication systems will collaborate to demonstrate the non-incremental and ground-breaking ultra broadband SiC frequency comb chips, with synergy effect at European level. These results will build leading research and innovation capacity on SiC optical devices and applications across Europe and enhance the competiveness and growth of industrial partners. It will also align with European advancement in frequency comb efforts, as well as innovation competence to position Europe in forefront of technologies in the research and innovation. The future market implementation and utilization is expected to have a strong momentum given by the results and stakeholder establishment in the SiComb project.

Appel à propositions

H2020-FETOPEN-2018-2020

Voir d’autres projets de cet appel

Sous appel

H2020-FETOPEN-2018-2019-2020-01

Coordinateur

DANMARKS TEKNISKE UNIVERSITET
Contribution nette de l'UE
€ 744 241,25
Adresse
ANKER ENGELUNDS VEJ 101
2800 Kongens Lyngby
Danemark

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Région
Danmark Hovedstaden Københavns omegn
Type d’activité
Higher or Secondary Education Establishments
Liens
Coût total
€ 744 241,25

Participants (6)