Objectif
This two-year project was dedicated to the development of a basic process validated on HBTs and SSI divider (D/2 and D/4) ECL circuits and to the investigation of the specific steps of a future advanced self-aligned process.
The general objective was to develop a high-performance GaAs process using GaAs-GaAlAs HBTs for ultrafast emitter coupled logic. E-beam lithography, plasma deposition and etching techniques were investigated, together with all aspects of the IC process, including material epitaxy (both MBE and MOCVD), ion implantation, rapid thermal annealing, lithography, dry etching, ohmic contacts (including refractory alloys) and dielectrics. This work was accompanied by a strong effort in modelling, concerning both 1D and 2D device numerical modelling and analytical CAD block models.
The general objective was to develop a high performance gallium arsenide process using gallium arsenide/gallium aluminium arsenide heterojunction bipolar transistors (HBT) for ultrafast emitter coupled logic. Electron beam lithography, plasma deposition and etching techniques were investigated, together with all aspects of the integrated circuits (IC) process, including material epitaxy (both molecular beam epitaxy (MBE) and metal organic chemical vapour deposition (MOCVD)), ion implantation, rapid thermal annealing, lithography, dry etching, ohmic contacts (including refractory alloys) and dielectrics. This work was accompanied by a strong effort in modelling, concerning both 1-dimensional and 2-dimensional device numerical modelling and analytical computer aided design (CAD)) block models. Several approaches leading to selfalignment and micron and submicron rules were also investigated, with a very exciting successful fabrication of exploratory selfaligned HBTs. All 3 basic processes were characterised on HBTs with cutoff frequencies above 20 GHz and up to 29 GHz, and division by 2 and division by 4 circuits were demonstrated with input rates as high as 7.6 Gbits/s.
The most significant achievements were a high degree of quality and uniformity of both MBE and MOCVD layers, world-record values for ptype base doping, assembling, validation and comparison of three basic technological processes using ion implantation, r apid thermal annealing (RTA), dry etching, and high-performance ntype and p-type ohmic contacts (including the nonconventional InGeAu and AuMn alloys). Several approaches leading to selfalignment and micron and submicron rules were also investigated, with a very exciting successful fabrication of exploratory selfaligned HBTs. All three basic processes were characterised on HBTs with cutoff frequencies above 20GHz and up to 29GHz, and division by two and by four circuits was demonstrated with inputrates as high as 7.6Gbits/s.
Exploitation
A part of the HBT technological know-how developed during this project by CNET has been transferred to an SME, Picogiga, which is customising MBE epitaxial wafers.
Champ scientifique (EuroSciVoc)
CORDIS classe les projets avec EuroSciVoc, une taxonomie multilingue des domaines scientifiques, grâce à un processus semi-automatique basé sur des techniques TLN. Voir: Le vocabulaire scientifique européen.
CORDIS classe les projets avec EuroSciVoc, une taxonomie multilingue des domaines scientifiques, grâce à un processus semi-automatique basé sur des techniques TLN. Voir: Le vocabulaire scientifique européen.
- sciences naturelles sciences physiques physique des plasmas
- sciences naturelles sciences chimiques chimie inorganique métal pauvre
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Programme(s)
Programmes de financement pluriannuels qui définissent les priorités de l’UE en matière de recherche et d’innovation.
Programmes de financement pluriannuels qui définissent les priorités de l’UE en matière de recherche et d’innovation.
Thème(s)
Les appels à propositions sont divisés en thèmes. Un thème définit un sujet ou un domaine spécifique dans le cadre duquel les candidats peuvent soumettre des propositions. La description d’un thème comprend sa portée spécifique et l’impact attendu du projet financé.
Données non disponibles
Les appels à propositions sont divisés en thèmes. Un thème définit un sujet ou un domaine spécifique dans le cadre duquel les candidats peuvent soumettre des propositions. La description d’un thème comprend sa portée spécifique et l’impact attendu du projet financé.
Appel à propositions
Procédure par laquelle les candidats sont invités à soumettre des propositions de projet en vue de bénéficier d’un financement de l’UE.
Données non disponibles
Procédure par laquelle les candidats sont invités à soumettre des propositions de projet en vue de bénéficier d’un financement de l’UE.
Régime de financement
Régime de financement (ou «type d’action») à l’intérieur d’un programme présentant des caractéristiques communes. Le régime de financement précise le champ d’application de ce qui est financé, le taux de remboursement, les critères d’évaluation spécifiques pour bénéficier du financement et les formes simplifiées de couverture des coûts, telles que les montants forfaitaires.
Régime de financement (ou «type d’action») à l’intérieur d’un programme présentant des caractéristiques communes. Le régime de financement précise le champ d’application de ce qui est financé, le taux de remboursement, les critères d’évaluation spécifiques pour bénéficier du financement et les formes simplifiées de couverture des coûts, telles que les montants forfaitaires.
Données non disponibles
Coordinateur
92220 Bagneux
France
Les coûts totaux encourus par l’organisation concernée pour participer au projet, y compris les coûts directs et indirects. Ce montant est un sous-ensemble du budget global du projet.