Ziel
This two-year project was dedicated to the development of a basic process validated on HBTs and SSI divider (D/2 and D/4) ECL circuits and to the investigation of the specific steps of a future advanced self-aligned process.
The general objective was to develop a high-performance GaAs process using GaAs-GaAlAs HBTs for ultrafast emitter coupled logic. E-beam lithography, plasma deposition and etching techniques were investigated, together with all aspects of the IC process, including material epitaxy (both MBE and MOCVD), ion implantation, rapid thermal annealing, lithography, dry etching, ohmic contacts (including refractory alloys) and dielectrics. This work was accompanied by a strong effort in modelling, concerning both 1D and 2D device numerical modelling and analytical CAD block models.
The general objective was to develop a high performance gallium arsenide process using gallium arsenide/gallium aluminium arsenide heterojunction bipolar transistors (HBT) for ultrafast emitter coupled logic. Electron beam lithography, plasma deposition and etching techniques were investigated, together with all aspects of the integrated circuits (IC) process, including material epitaxy (both molecular beam epitaxy (MBE) and metal organic chemical vapour deposition (MOCVD)), ion implantation, rapid thermal annealing, lithography, dry etching, ohmic contacts (including refractory alloys) and dielectrics. This work was accompanied by a strong effort in modelling, concerning both 1-dimensional and 2-dimensional device numerical modelling and analytical computer aided design (CAD)) block models. Several approaches leading to selfalignment and micron and submicron rules were also investigated, with a very exciting successful fabrication of exploratory selfaligned HBTs. All 3 basic processes were characterised on HBTs with cutoff frequencies above 20 GHz and up to 29 GHz, and division by 2 and division by 4 circuits were demonstrated with input rates as high as 7.6 Gbits/s.
The most significant achievements were a high degree of quality and uniformity of both MBE and MOCVD layers, world-record values for ptype base doping, assembling, validation and comparison of three basic technological processes using ion implantation, r apid thermal annealing (RTA), dry etching, and high-performance ntype and p-type ohmic contacts (including the nonconventional InGeAu and AuMn alloys). Several approaches leading to selfalignment and micron and submicron rules were also investigated, with a very exciting successful fabrication of exploratory selfaligned HBTs. All three basic processes were characterised on HBTs with cutoff frequencies above 20GHz and up to 29GHz, and division by two and by four circuits was demonstrated with inputrates as high as 7.6Gbits/s.
Exploitation
A part of the HBT technological know-how developed during this project by CNET has been transferred to an SME, Picogiga, which is customising MBE epitaxial wafers.
Wissenschaftliches Gebiet (EuroSciVoc)
CORDIS klassifiziert Projekte mit EuroSciVoc, einer mehrsprachigen Taxonomie der Wissenschaftsbereiche, durch einen halbautomatischen Prozess, der auf Verfahren der Verarbeitung natürlicher Sprache beruht. Siehe: Das European Science Vocabulary.
CORDIS klassifiziert Projekte mit EuroSciVoc, einer mehrsprachigen Taxonomie der Wissenschaftsbereiche, durch einen halbautomatischen Prozess, der auf Verfahren der Verarbeitung natürlicher Sprache beruht. Siehe: Das European Science Vocabulary.
- Naturwissenschaften Naturwissenschaften Plasmaphysik
- Naturwissenschaften Chemiewissenschaften anorganische Chemie Nachübergangsmetalle
Sie müssen sich anmelden oder registrieren, um diese Funktion zu nutzen
Programm/Programme
Mehrjährige Finanzierungsprogramme, in denen die Prioritäten der EU für Forschung und Innovation festgelegt sind.
Mehrjährige Finanzierungsprogramme, in denen die Prioritäten der EU für Forschung und Innovation festgelegt sind.
Thema/Themen
Aufforderungen zur Einreichung von Vorschlägen sind nach Themen gegliedert. Ein Thema definiert einen bestimmten Bereich oder ein Gebiet, zu dem Vorschläge eingereicht werden können. Die Beschreibung eines Themas umfasst seinen spezifischen Umfang und die erwarteten Auswirkungen des finanzierten Projekts.
Daten nicht verfügbar
Aufforderungen zur Einreichung von Vorschlägen sind nach Themen gegliedert. Ein Thema definiert einen bestimmten Bereich oder ein Gebiet, zu dem Vorschläge eingereicht werden können. Die Beschreibung eines Themas umfasst seinen spezifischen Umfang und die erwarteten Auswirkungen des finanzierten Projekts.
Aufforderung zur Vorschlagseinreichung
Verfahren zur Aufforderung zur Einreichung von Projektvorschlägen mit dem Ziel, eine EU-Finanzierung zu erhalten.
Daten nicht verfügbar
Verfahren zur Aufforderung zur Einreichung von Projektvorschlägen mit dem Ziel, eine EU-Finanzierung zu erhalten.
Finanzierungsplan
Finanzierungsregelung (oder „Art der Maßnahme“) innerhalb eines Programms mit gemeinsamen Merkmalen. Sieht folgendes vor: den Umfang der finanzierten Maßnahmen, den Erstattungssatz, spezifische Bewertungskriterien für die Finanzierung und die Verwendung vereinfachter Kostenformen wie Pauschalbeträge.
Finanzierungsregelung (oder „Art der Maßnahme“) innerhalb eines Programms mit gemeinsamen Merkmalen. Sieht folgendes vor: den Umfang der finanzierten Maßnahmen, den Erstattungssatz, spezifische Bewertungskriterien für die Finanzierung und die Verwendung vereinfachter Kostenformen wie Pauschalbeträge.
Daten nicht verfügbar
Koordinator
92220 Bagneux
Frankreich
Die Gesamtkosten, die dieser Organisation durch die Beteiligung am Projekt entstanden sind, einschließlich der direkten und indirekten Kosten. Dieser Betrag ist Teil des Gesamtbudgets des Projekts.