Obiettivo
This two-year project was dedicated to the development of a basic process validated on HBTs and SSI divider (D/2 and D/4) ECL circuits and to the investigation of the specific steps of a future advanced self-aligned process.
The general objective was to develop a high-performance GaAs process using GaAs-GaAlAs HBTs for ultrafast emitter coupled logic. E-beam lithography, plasma deposition and etching techniques were investigated, together with all aspects of the IC process, including material epitaxy (both MBE and MOCVD), ion implantation, rapid thermal annealing, lithography, dry etching, ohmic contacts (including refractory alloys) and dielectrics. This work was accompanied by a strong effort in modelling, concerning both 1D and 2D device numerical modelling and analytical CAD block models.
The general objective was to develop a high performance gallium arsenide process using gallium arsenide/gallium aluminium arsenide heterojunction bipolar transistors (HBT) for ultrafast emitter coupled logic. Electron beam lithography, plasma deposition and etching techniques were investigated, together with all aspects of the integrated circuits (IC) process, including material epitaxy (both molecular beam epitaxy (MBE) and metal organic chemical vapour deposition (MOCVD)), ion implantation, rapid thermal annealing, lithography, dry etching, ohmic contacts (including refractory alloys) and dielectrics. This work was accompanied by a strong effort in modelling, concerning both 1-dimensional and 2-dimensional device numerical modelling and analytical computer aided design (CAD)) block models. Several approaches leading to selfalignment and micron and submicron rules were also investigated, with a very exciting successful fabrication of exploratory selfaligned HBTs. All 3 basic processes were characterised on HBTs with cutoff frequencies above 20 GHz and up to 29 GHz, and division by 2 and division by 4 circuits were demonstrated with input rates as high as 7.6 Gbits/s.
The most significant achievements were a high degree of quality and uniformity of both MBE and MOCVD layers, world-record values for ptype base doping, assembling, validation and comparison of three basic technological processes using ion implantation, r apid thermal annealing (RTA), dry etching, and high-performance ntype and p-type ohmic contacts (including the nonconventional InGeAu and AuMn alloys). Several approaches leading to selfalignment and micron and submicron rules were also investigated, with a very exciting successful fabrication of exploratory selfaligned HBTs. All three basic processes were characterised on HBTs with cutoff frequencies above 20GHz and up to 29GHz, and division by two and by four circuits was demonstrated with inputrates as high as 7.6Gbits/s.
Exploitation
A part of the HBT technological know-how developed during this project by CNET has been transferred to an SME, Picogiga, which is customising MBE epitaxial wafers.
Campo scientifico (EuroSciVoc)
CORDIS classifica i progetti con EuroSciVoc, una tassonomia multilingue dei campi scientifici, attraverso un processo semi-automatico basato su tecniche NLP. Cfr.: Il Vocabolario Scientifico Europeo.
CORDIS classifica i progetti con EuroSciVoc, una tassonomia multilingue dei campi scientifici, attraverso un processo semi-automatico basato su tecniche NLP. Cfr.: Il Vocabolario Scientifico Europeo.
- scienze naturali scienze fisiche fisica del plasma
- scienze naturali scienze chimiche chimica inorganica metalli di post-transizione
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Programma(i)
Programmi di finanziamento pluriennali che definiscono le priorità dell’UE in materia di ricerca e innovazione.
Programmi di finanziamento pluriennali che definiscono le priorità dell’UE in materia di ricerca e innovazione.
Argomento(i)
Gli inviti a presentare proposte sono suddivisi per argomenti. Un argomento definisce un’area o un tema specifico per il quale i candidati possono presentare proposte. La descrizione di un argomento comprende il suo ambito specifico e l’impatto previsto del progetto finanziato.
Dati non disponibili
Gli inviti a presentare proposte sono suddivisi per argomenti. Un argomento definisce un’area o un tema specifico per il quale i candidati possono presentare proposte. La descrizione di un argomento comprende il suo ambito specifico e l’impatto previsto del progetto finanziato.
Invito a presentare proposte
Procedura per invitare i candidati a presentare proposte di progetti, con l’obiettivo di ricevere finanziamenti dall’UE.
Dati non disponibili
Procedura per invitare i candidati a presentare proposte di progetti, con l’obiettivo di ricevere finanziamenti dall’UE.
Meccanismo di finanziamento
Meccanismo di finanziamento (o «Tipo di azione») all’interno di un programma con caratteristiche comuni. Specifica: l’ambito di ciò che viene finanziato; il tasso di rimborso; i criteri di valutazione specifici per qualificarsi per il finanziamento; l’uso di forme semplificate di costi come gli importi forfettari.
Meccanismo di finanziamento (o «Tipo di azione») all’interno di un programma con caratteristiche comuni. Specifica: l’ambito di ciò che viene finanziato; il tasso di rimborso; i criteri di valutazione specifici per qualificarsi per il finanziamento; l’uso di forme semplificate di costi come gli importi forfettari.
Dati non disponibili
Coordinatore
92220 Bagneux
Francia
I costi totali sostenuti dall’organizzazione per partecipare al progetto, compresi i costi diretti e indiretti. Questo importo è un sottoinsieme del bilancio complessivo del progetto.