Obiettivo
AMORPHOUS GAAS(A-GAAS) IS A PROMISING MATERIAL FOR PHOTOVOLTAIC CONVERSION. INDEED, ITS HIGH ABSORPTION COEFFICIENT AND ITS DIRECT GAP ALLOW TO ATTAIN HIGH EFFICIENCY (23%) WITH ONLY FEW MICRONS OF SUBSTANCE. FURTHERMORE, AMORPHOUS SEMICONDUCTORS ARE WELL ADAPTED TO THE REALIZATION OF LARGE AREAS OF THIN FILMS; THIS WOULD LEAD TO A DECREASE IN THE PHOTOCELLS COST.
OUR OBJECTIVE WAS TO PRODUCE A GOOD MATERIAL, TO IMPROVE ITS PROPERTIES BY HYDROGENATION AND TO TRY ITS DOPING WITH THE IAM OF REALIZING A SCHOTTKY DIODE AND STUDYING ITS PHOTOELECTRIC PROPERTIES. A-GAAS THIN FILMS (1"MU") WHERE PREPARED BY R.F. SPUTTERING OF A CRYSTALLINE TARGET IN AR OR AR:H2 MIXTURE.
THE MATERIAL IS STOICHIOMETRIC AND INTRINSIC WHEN THE DEPOSITION IS ACHIEVED AT A SUBSTRATE TEMPERATURE OF ABOUT 290 C. IT PRESENTS A BETTER SHORT RANGE ORDER AND CONTAINS LESS CHEMICAL DEFECTS THAN THE MATERIAL PREPARED AT LOWER TEMPERATURE.
HYDROGENATION PROVOKES ALSO A DECREASE OF THE NUMBER OF DEFECTS AND AN IMPROVEMENT OF THE ELECTRICAL PROPERTIES, BUT ITS EFFECT IS LIMITED BY DEFECTS THAT CAN'T BE COMPENSATED BY HYDROGEN INCORPORATION (WRONG BONDS). FURTHERMORE, HYDROGENATION IS ONLY POSSIBLE AT A SUBSTRATE TEMPERATURE LOWER THAN 50C. HIGHER TEMPERATURE CAUSES THE CRYSTALLISATION OF THE MATERIAL.
INCORPORATION OF MO USING COSPUTTERING PROVOKES AN INCREASE OF THE ROOM TEMPERATURE ELECTRICAL CONDUCTIVITY OF ABOUT 6 ORDERS OF MAGNITUDE.
WE ARE ACTUALLY STUDYING THE OHMIC AND RECTIFYING CONTACTS TO A-GAAS WITH VIEW OF REALIZATION OF A SHOTTKY STRUCTURE.
The character of the gallium arsenide compound makes studies of amorphous gallium arsenide more complex than those on amorphous silicon. In particular, when forming thin films, relatively strict conditions of preparation are made necessary as the presence of the 2 constituents may introduce additional defects. Research has been directed towards improving the quality of material using hydrogenation and by hot deposition.
AFTER STUDYING THE EFFECT OF STOICHIOMETRY DEVIATION EXPLAINED BY A SELF DOPING PHENOMENON (AS EXCESS OR GA EXCESS GIVES RISE TO N-TYPE OR P-TYPE MATERIAL RESPECTIVELY), WE HAVE DETERMINED THE EXPERIMENTAL CONDITIONS WHICH ALLOW TO OBTAIN AN INTRINSIC AMORPHOUS SEMICONDUCTOR. IN THIS WAY, THE SPUTTERED A-GAAS HAS THE FOLLOWING CHARACTERISTICS: RESISTIVITY P = 4X10 TO THE POWER 8 EV, DENSITY OF LOCALISED STATES AROUND FERMI LEVEL = 3X10 TO THE POWER 16 EV-1 CM-3.
NEXT WE HAVE TRIED TO DOPE THIS MATERIAL BY COSPUTTERING WITH MO. THE RESISTIVITY OF THE OBTAINED A-GAAS : MO IS SIX ORDERS OF MAGNITUDE LOWER THAN THE INTRINSIC ONE. THE ACTIVATION ENERGY EA IS ALSO LOWERED BY 0.5 EV BY MO INCORPORATION. THIS RESULTED IN N-TYPE MATERIAL.
DOPING WITH TRADITIONAL ELEMENTS LIKE TE AND S, THE FIRST IS INCORPORATED BY CONSPUTTERING WHILE THE SECOND BY MIXING THE H2S WITH THE DISCHARGE GAS, IS ALSO TRIED.
THE PLOT OF ELECTRICAL CONDUCTIVITY IS A FUNCTION OF TEMPERATURE FOR A-GAAS CONTAINING TE AND S RESPECTIVELY.
UNFORNUTATELY THERE IS NO MODIFICATION NEITHER IN NOR IN EA. THE SMALL INCREASE DITECTED IN EA AND THE CORRESPONDING DECREASE IN P FOR SAMPLES CONTAINING S IS DUE TO THE INCORPORATION OF LOW AMOUNT OF HYDROGEN. OUR RESULTS ABOUT DOPING WITH S AND TE CONFIRM LATEST THEORETICAL WORK OF ROBERTSON WHICH SHOWS THE ABSENCE OF DOPING IN A-GAAS BECAUSE OF THE LOW COST TO CREATE COMPENSATING DEFECTS IN THIS MATERIAL. HOWEVER THIS IS WHAT HAPPENED HISTORICALLY WITH A-SI:H SO OTHER WORKS ARE REACTED TO PROVE THE CONTRARY.
Campo scientifico (EuroSciVoc)
CORDIS classifica i progetti con EuroSciVoc, una tassonomia multilingue dei campi scientifici, attraverso un processo semi-automatico basato su tecniche NLP. Cfr.: Il Vocabolario Scientifico Europeo.
CORDIS classifica i progetti con EuroSciVoc, una tassonomia multilingue dei campi scientifici, attraverso un processo semi-automatico basato su tecniche NLP. Cfr.: Il Vocabolario Scientifico Europeo.
- ingegneria e tecnologia ingegneria dei materiali solidi amorfi semiconduttori amorfi
- scienze naturali scienze chimiche chimica inorganica metalli di post-transizione
- ingegneria e tecnologia ingegneria dei materiali rivestimenti e pellicole
- scienze naturali scienze fisiche elettromagnetismo ed elettronica semiconduttività
- scienze naturali scienze chimiche chimica inorganica metalloidi
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Programma(i)
Programmi di finanziamento pluriennali che definiscono le priorità dell’UE in materia di ricerca e innovazione.
Programmi di finanziamento pluriennali che definiscono le priorità dell’UE in materia di ricerca e innovazione.
Argomento(i)
Gli inviti a presentare proposte sono suddivisi per argomenti. Un argomento definisce un’area o un tema specifico per il quale i candidati possono presentare proposte. La descrizione di un argomento comprende il suo ambito specifico e l’impatto previsto del progetto finanziato.
Dati non disponibili
Gli inviti a presentare proposte sono suddivisi per argomenti. Un argomento definisce un’area o un tema specifico per il quale i candidati possono presentare proposte. La descrizione di un argomento comprende il suo ambito specifico e l’impatto previsto del progetto finanziato.
Invito a presentare proposte
Procedura per invitare i candidati a presentare proposte di progetti, con l’obiettivo di ricevere finanziamenti dall’UE.
Dati non disponibili
Procedura per invitare i candidati a presentare proposte di progetti, con l’obiettivo di ricevere finanziamenti dall’UE.
Meccanismo di finanziamento
Meccanismo di finanziamento (o «Tipo di azione») all’interno di un programma con caratteristiche comuni. Specifica: l’ambito di ciò che viene finanziato; il tasso di rimborso; i criteri di valutazione specifici per qualificarsi per il finanziamento; l’uso di forme semplificate di costi come gli importi forfettari.
Meccanismo di finanziamento (o «Tipo di azione») all’interno di un programma con caratteristiche comuni. Specifica: l’ambito di ciò che viene finanziato; il tasso di rimborso; i criteri di valutazione specifici per qualificarsi per il finanziamento; l’uso di forme semplificate di costi come gli importi forfettari.
Coordinatore
13628 Aix-en-Provence
Francia
I costi totali sostenuti dall’organizzazione per partecipare al progetto, compresi i costi diretti e indiretti. Questo importo è un sottoinsieme del bilancio complessivo del progetto.