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CORDIS - Resultados de investigaciones de la UE
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Contenido archivado el 2024-05-07

Advanced metalisation for ulsi applications metal silicides and chemical vapour deposited tungsten

Objetivo



Low mechanical stress and low, uniform electrical resistivity are of crucial importance for metallisation of IC devices with feature sizes of deep submicron (below 0.5 um) dimensions. Two major research areas of interest are investigated in order to enhance circuit performance and to improve yield:
SALICIDE TiSi2 is employed for local metallisation of IC devices. The formation, morphology and thermal stability of TiSi2 will be studied on patterned structures of deep submicron dimensions. Simple modifications to the fabrication process are implemented to improve the silicide formation and thermal stability.
The W plug technology with a W/TiN/Ti stack is utilised to realise multilayer-multilevel metallisation. CVD-W is deposited on
sputter-deposited TiN/Ti adhesion layers. Different process techniques (post-annealing of TiN/Ti, modification of W deposition) are investigated, in order to control the high mechanical stresses and impurity levels in the W layers.

Programa(s)

Programas de financiación plurianuales que definen las prioridades de la UE en materia de investigación e innovación.

Tema(s)

Las convocatorias de propuestas se dividen en temas. Un tema define una materia o área específica para la que los solicitantes pueden presentar propuestas. La descripción de un tema comprende su alcance específico y la repercusión prevista del proyecto financiado.

Convocatoria de propuestas

Procedimiento para invitar a los solicitantes a presentar propuestas de proyectos con el objetivo de obtener financiación de la UE.

Datos no disponibles

Régimen de financiación

Régimen de financiación (o «Tipo de acción») dentro de un programa con características comunes. Especifica: el alcance de lo que se financia; el porcentaje de reembolso; los criterios específicos de evaluación para optar a la financiación; y el uso de formas simplificadas de costes como los importes a tanto alzado.

RGI - Research grants (individual fellowships)

Coordinador

Kungliga Tekniska Högskolan
Aportación de la UE
Sin datos
Dirección
229,Electrum 229
164 40 Stockholm Kista
Suecia

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Coste total

Los costes totales en que ha incurrido esta organización para participar en el proyecto, incluidos los costes directos e indirectos. Este importe es un subconjunto del presupuesto total del proyecto.

Sin datos

Participantes (1)

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