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CORDIS - Risultati della ricerca dell’UE
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Contenuto archiviato il 2024-05-07

Advanced metalisation for ulsi applications metal silicides and chemical vapour deposited tungsten

Obiettivo



Low mechanical stress and low, uniform electrical resistivity are of crucial importance for metallisation of IC devices with feature sizes of deep submicron (below 0.5 um) dimensions. Two major research areas of interest are investigated in order to enhance circuit performance and to improve yield:
SALICIDE TiSi2 is employed for local metallisation of IC devices. The formation, morphology and thermal stability of TiSi2 will be studied on patterned structures of deep submicron dimensions. Simple modifications to the fabrication process are implemented to improve the silicide formation and thermal stability.
The W plug technology with a W/TiN/Ti stack is utilised to realise multilayer-multilevel metallisation. CVD-W is deposited on
sputter-deposited TiN/Ti adhesion layers. Different process techniques (post-annealing of TiN/Ti, modification of W deposition) are investigated, in order to control the high mechanical stresses and impurity levels in the W layers.

Programma(i)

Programmi di finanziamento pluriennali che definiscono le priorità dell’UE in materia di ricerca e innovazione.

Argomento(i)

Gli inviti a presentare proposte sono suddivisi per argomenti. Un argomento definisce un’area o un tema specifico per il quale i candidati possono presentare proposte. La descrizione di un argomento comprende il suo ambito specifico e l’impatto previsto del progetto finanziato.

Invito a presentare proposte

Procedura per invitare i candidati a presentare proposte di progetti, con l’obiettivo di ricevere finanziamenti dall’UE.

Dati non disponibili

Meccanismo di finanziamento

Meccanismo di finanziamento (o «Tipo di azione») all’interno di un programma con caratteristiche comuni. Specifica: l’ambito di ciò che viene finanziato; il tasso di rimborso; i criteri di valutazione specifici per qualificarsi per il finanziamento; l’uso di forme semplificate di costi come gli importi forfettari.

RGI - Research grants (individual fellowships)

Coordinatore

Kungliga Tekniska Högskolan
Contributo UE
Nessun dato
Indirizzo
229,Electrum 229
164 40 Stockholm Kista
Svezia

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Costo totale

I costi totali sostenuti dall’organizzazione per partecipare al progetto, compresi i costi diretti e indiretti. Questo importo è un sottoinsieme del bilancio complessivo del progetto.

Nessun dato

Partecipanti (1)

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