Objetivo
Recently, very good X-ray images have been obtained with X-ray detectors that are based on ultra pure GaAs and p-i-n structures that have been grown by Hydride Vapor Phase Epitaxy (HVPE) at Ioffe Physical-Technical Institute. The results have shown that the material is uniform and the detectors made from it are stable. The maximum depletion depth of the reversed biased pin structures reached at room temperature is limited and well below 100 um (typically 30 um 50 um). The depletion depth can be increased by cooling to 150 um at 25 C, but cooling is not a practical solution in most of the potential applications, like in mammography.
The main objectives of the project are:
A) to identify the factors which are limiting the depletion depth of the HVPE grown GaAs pin structures,
B) to identify physical processes which could be used to minimize the effect of the above mentioned factors,
C) to achieve the expertise and capability to grow thick, >200 um, GaAs pin structures which can be fully depleted at room temperature,
D) to fabricate an imaging (position sensitive) GaAs X-ray detector that is fully depleted at RT.In the case of successful project, the partners will start activities to exploit the results together especially in the fields of medical and industrial X-ray imaging as well as in security applications.
Programa(s)
Programas de financiación plurianuales que definen las prioridades de la UE en materia de investigación e innovación.
Programas de financiación plurianuales que definen las prioridades de la UE en materia de investigación e innovación.
Tema(s)
Las convocatorias de propuestas se dividen en temas. Un tema define una materia o área específica para la que los solicitantes pueden presentar propuestas. La descripción de un tema comprende su alcance específico y la repercusión prevista del proyecto financiado.
Las convocatorias de propuestas se dividen en temas. Un tema define una materia o área específica para la que los solicitantes pueden presentar propuestas. La descripción de un tema comprende su alcance específico y la repercusión prevista del proyecto financiado.
Convocatoria de propuestas
Procedimiento para invitar a los solicitantes a presentar propuestas de proyectos con el objetivo de obtener financiación de la UE.
Datos no disponibles
Procedimiento para invitar a los solicitantes a presentar propuestas de proyectos con el objetivo de obtener financiación de la UE.
Régimen de financiación
Régimen de financiación (o «Tipo de acción») dentro de un programa con características comunes. Especifica: el alcance de lo que se financia; el porcentaje de reembolso; los criterios específicos de evaluación para optar a la financiación; y el uso de formas simplificadas de costes como los importes a tanto alzado.
Régimen de financiación (o «Tipo de acción») dentro de un programa con características comunes. Especifica: el alcance de lo que se financia; el porcentaje de reembolso; los criterios específicos de evaluación para optar a la financiación; y el uso de formas simplificadas de costes como los importes a tanto alzado.
Coordinador
ESPOO
Finlandia
Los costes totales en que ha incurrido esta organización para participar en el proyecto, incluidos los costes directos e indirectos. Este importe es un subconjunto del presupuesto total del proyecto.