Objectif
Recently, very good X-ray images have been obtained with X-ray detectors that are based on ultra pure GaAs and p-i-n structures that have been grown by Hydride Vapor Phase Epitaxy (HVPE) at Ioffe Physical-Technical Institute. The results have shown that the material is uniform and the detectors made from it are stable. The maximum depletion depth of the reversed biased pin structures reached at room temperature is limited and well below 100 um (typically 30 um 50 um). The depletion depth can be increased by cooling to 150 um at 25 C, but cooling is not a practical solution in most of the potential applications, like in mammography.
The main objectives of the project are:
A) to identify the factors which are limiting the depletion depth of the HVPE grown GaAs pin structures,
B) to identify physical processes which could be used to minimize the effect of the above mentioned factors,
C) to achieve the expertise and capability to grow thick, >200 um, GaAs pin structures which can be fully depleted at room temperature,
D) to fabricate an imaging (position sensitive) GaAs X-ray detector that is fully depleted at RT.In the case of successful project, the partners will start activities to exploit the results together especially in the fields of medical and industrial X-ray imaging as well as in security applications.
Programme(s)
Programmes de financement pluriannuels qui définissent les priorités de l’UE en matière de recherche et d’innovation.
Programmes de financement pluriannuels qui définissent les priorités de l’UE en matière de recherche et d’innovation.
Thème(s)
Les appels à propositions sont divisés en thèmes. Un thème définit un sujet ou un domaine spécifique dans le cadre duquel les candidats peuvent soumettre des propositions. La description d’un thème comprend sa portée spécifique et l’impact attendu du projet financé.
Les appels à propositions sont divisés en thèmes. Un thème définit un sujet ou un domaine spécifique dans le cadre duquel les candidats peuvent soumettre des propositions. La description d’un thème comprend sa portée spécifique et l’impact attendu du projet financé.
Appel à propositions
Procédure par laquelle les candidats sont invités à soumettre des propositions de projet en vue de bénéficier d’un financement de l’UE.
Données non disponibles
Procédure par laquelle les candidats sont invités à soumettre des propositions de projet en vue de bénéficier d’un financement de l’UE.
Régime de financement
Régime de financement (ou «type d’action») à l’intérieur d’un programme présentant des caractéristiques communes. Le régime de financement précise le champ d’application de ce qui est financé, le taux de remboursement, les critères d’évaluation spécifiques pour bénéficier du financement et les formes simplifiées de couverture des coûts, telles que les montants forfaitaires.
Régime de financement (ou «type d’action») à l’intérieur d’un programme présentant des caractéristiques communes. Le régime de financement précise le champ d’application de ce qui est financé, le taux de remboursement, les critères d’évaluation spécifiques pour bénéficier du financement et les formes simplifiées de couverture des coûts, telles que les montants forfaitaires.
Coordinateur
ESPOO
Finlande
Les coûts totaux encourus par l’organisation concernée pour participer au projet, y compris les coûts directs et indirects. Ce montant est un sous-ensemble du budget global du projet.